[發明專利]金屬氧化物薄膜晶體管器件及其制作方法和顯示面板

在審

• 申請號: 202210569810.3
• 申請日: 2022-05-24
• 公開（公告）號: CN114823917A
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發明（設計）人: 李育智;龔政;陳志濤;郭嬋;王建太;鄒勝晗;潘章旭
• 申請（專利權）人: 廣東省科學院半導體研究所
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/34;H01L27/12
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 杜楊

1.一種金屬氧化物薄膜晶體管器件，其特征在于，所述薄膜晶體管器件包括：

基底；

設置在所述基底上的氮硅層；

設置在所述氮硅層的遠離所述基底的一側的柵極；

覆蓋在所述柵極的未與所述氮硅層接觸的外表面上的柵介質層；

至少覆蓋所述柵介質層的未與所述氮硅層接觸的外表面的金屬氧化物層；所述金屬氧化物層包括源極區域、半導體區域及漏極區域，所述源極區域與所述漏極區域分別位于所述半導體區域的兩側并與所述半導體區域相互連通，其中所述源極區域與所述漏極區域均由所述金屬氧化物層接觸到的所述氮硅層所含有的氫或氟擴散摻雜形成。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管器件，其特征在于，所述薄膜晶體管器件還包括：

設置在所述氮硅層的遠離所述基底的一側的第一走線層及第二走線層，其中所述第一走線層與所述第二走線層分別位于所述半導體區域的兩側，所述源極區域與所述第一走線層電性連接，所述漏極區域與所述第二走線層電性連接。

3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管器件，其特征在于，所述薄膜晶體管器件還包括：

設置在所述金屬氧化物層的遠離所述基底的一側的鈍化層，其中所述鈍化層覆蓋所述半導體區域的遠離所述柵極的外表面。

4.根據權利要求3所述的薄膜晶體管器件，其特征在于，所述第一走線層對所述源極區域部分覆蓋，所述第二走線層對所述漏極區域部分覆蓋；

所述鈍化層還覆蓋所述第一走線層、所述源極區域的未被所述第一走線層覆蓋的外表面、所述第二走線層和所述漏極區域的未被所述第二走線層覆蓋的外表面。

5.根據權利要求3所述的薄膜晶體管器件，其特征在于，所述鈍化層還覆蓋在所述源極區域及所述漏極區域上；

所述鈍化層的與所述源極區域投影位置重疊的第一區域開設有第一過孔，所述第一走線層經所述第一過孔與所述源極區域搭接；

所述鈍化層的與所述漏極區域投影位置重疊的第二區域開設有第二過孔，所述第二走線層經所述第二過孔與所述漏極區域搭接。

6.一種金屬氧化物薄膜晶體管器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一基底；

在所述基底的一側沉積形成含有氫或氟的氮硅層；

在所述氮硅層的遠離所述基底的一側形成柵極；

在所述氮硅層的遠離所述基底的一側形成柵介質層，其中所述柵介質層覆蓋在所述柵極的未與所述氮硅層接觸的外表面上；

在所述氮硅層的遠離所述基底的一側沉積金屬氧化物半導體層，其中所述金屬氧化物半導體層覆蓋在所述柵介質層的未與所述氮硅層接觸的外表面，以及所述氮硅層的遠離所述基底的外側表面上；

對所述金屬氧化物半導體層進行退火處理，使所述金屬氧化物半導體層的與所述氮硅層直接接觸的部分區域經所述氮硅層所含有的氫或氟擴散摻雜進行導體化，得到包括源極區域、半導體區域及漏極區域的金屬氧化物層，其中所述源極區域與所述漏極區域分別位于所述半導體區域的兩側并與所述半導體區域相互連通，所述源極區域和所述漏極區域均屬于所述金屬氧化物半導體層的已經導體化的部分區域，所述半導體區域為所述金屬氧化物半導體層的未導體化的部分區域。

7.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述在所述氮硅層的遠離所述基底的一側形成柵介質層的步驟，包括：

基于陽極氧化法在所述柵極的未與所述氮硅層接觸的外表面上生長形成所述柵介質層；

或者，所述在所述氮硅層的遠離所述基底的一側形成柵介質層的步驟，包括：

在氮硅層的遠離所述基底的一側制備柵介質前驅體薄膜，其中所述柵介質前驅體薄膜覆蓋在所述柵極的未與所述氮硅層接觸的外表面，以及所述氮硅層的遠離所述基底的外側表面上；

基于陽極氧化誘導法對所述柵介質前驅體薄膜的與所述柵極直接接觸的薄膜區域進行脫水固化；

刻蝕去除所述柵介質前驅體薄膜的未脫水固化的薄膜區域，以形成所述柵介質層。