[發(fā)明專利]一種TaNbTi基難熔中熵非晶合金涂層及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210569722.3
• 申請(qǐng)日: 2022-05-24
• 公開（公告）號(hào): CN114959584A
• 公開（公告）日: 2022-08-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王亞強(qiáng);李星;張金鈺;吳凱;劉剛;孫軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西安交通大學(xué)
• 主分類號(hào): C23C14/16
• 分類號(hào): C23C14/16;C23C14/35;C23C14/02;C22C30/00
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200
• 代理人: 范巍

1.一種TaNbTi基難熔中熵合金涂層，其特征在于，該難熔中熵合金涂層為TaNbTiCr或TaNbTiAl，微觀結(jié)構(gòu)為無序非晶組織。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種TaNbTi基難熔中熵合金涂層，其特征在于，所述TaNbTiCr及TaNbTiAl的元素原子百分?jǐn)?shù)之比為1:1:1:1。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種TaNbTi基難熔中熵合金涂層，其特征在于，所述難熔中熵合金涂層的截面斷口呈韌窩狀花紋形貌。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種TaNbTi基難熔中熵合金涂層，其特征在于，所述難熔中熵合金涂層的厚度為2.3～3.3μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種TaNbTi基難熔中熵合金涂層，其特征在于，所述TaNbTiCr難熔中熵合金涂層的納米壓痕硬度為8.4～9.0GPa，模量為120.0～130.0GPa；

所述TaNbTiAl難熔中熵合金涂層的納米壓痕硬度為8.0～8.5GPa，模量為110.0～120.0GPa。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種TaNbTi基難熔中熵合金涂層，其特征在于，所述TaNbTiCr難熔中熵合金涂層的表面粗糙度為R_a：0.75nm；

所述TaNbTiAl難熔中熵合金涂層的表面粗糙度為R_a：0.20nm。

7.一種權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的TaNbTi基難熔中熵非晶合金涂層的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

采用磁控濺射共濺射的方法在基體上沉積制備TaNbTi基難熔中熵合金涂層，然后冷卻到室溫得到TaNbTi基難熔中熵合金涂層；

所述磁控濺射共濺射的方法如下：

采用TaNbTi合金靶，以及一個(gè)Cr靶或一個(gè)Al靶進(jìn)行共濺射，沉積氣壓0.3～0.5Pa，沉積溫度為室溫，基盤轉(zhuǎn)速一般為15r/min；

所述TaNbTi合金靶的直流功率為90～120W，Cr靶的射頻電源功率為40～60W，所述Al靶純度99.99wt.％，射頻電源功率為110～130W。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的TaNbTi基難熔中熵非晶合金涂層的制備方法，其特征在于，在磁控濺射共濺射前，對(duì)基體進(jìn)行清洗和真空刻蝕。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的TaNbTi基難熔中熵非晶合金涂層的制備方法，其特征在于，所述TaNbTi合金靶的原子比為：Ta:Nb:Ti＝30.8:32.5:36.7at.％。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的TaNbTi基難熔中熵非晶合金涂層的制備方法，其特征在于，采用兩個(gè)TaNbTi合金靶共濺射制備TaNbTi基難熔中熵合金涂層。