[發(fā)明專(zhuān)利]一種高性能聚丙烯基電容器薄膜及其制備方法和應(yīng)用

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210569015.4
• 申請(qǐng)日: 2022-05-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115007415B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-05-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張志成;熊杰;龍大江;解云川
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 西安交通大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): B05D1/00
• 分類(lèi)號(hào): B05D1/00;B05D3/10;B05D5/12;B05D7/04;B05D7/24;C08J7/04;C08L23/12;H01G4/33
• 代理公司: 北京市誠(chéng)輝律師事務(wù)所 11430
• 代理人: 范盈

1.一種高性能聚丙烯基電容器薄膜的制備方法，其特征在于通過(guò)化學(xué)氣相沉積CVD技術(shù)在雙向拉伸聚丙烯BOPP薄膜表面沉積高絕緣性能聚合物薄層；

包括以下步驟：

首先進(jìn)行對(duì)二甲苯二聚體的提純，在惰性氣體環(huán)境下升華為氣體，與惰性氣體充分混合后進(jìn)入裂解區(qū)進(jìn)行裂解，生成對(duì)二甲苯雙自由基活性單體氣體；

取BOPP薄膜，對(duì)BOPP薄膜表面進(jìn)行表面活化處理后置于硅片基體上，放入真空沉積室，通入上述步驟（1）生成的對(duì)二甲苯雙自由基活性單體氣體，在BOPP薄膜表面沉積并形成高絕緣性能聚合物薄層，獲得單面沉積的電容器薄膜；

可選地，（3）將經(jīng)上述步驟（2）獲得的單面沉積的電容器薄膜進(jìn)行翻面，通入上述步驟（1）生成的對(duì)二甲苯雙自由基活性單體氣體，在BOPP薄膜表面沉積并形成高絕緣性能聚合物薄層，獲得雙面沉積的電容器薄膜；

高絕緣性能聚合物薄層的厚度為500?nm~2?μm。

2.如權(quán)利要求1所述的一種高性能聚丙烯基電容器薄膜的制備方法，其特征在于所述步驟（1）中對(duì)二甲苯二聚體選自派瑞林N粉、派瑞林C粉、派瑞林D粉、派瑞林F粉和派瑞林AF4粉中的一種或多種。

3.如權(quán)利要求1所述的一種高性能聚丙烯基電容器薄膜的制備方法，其特征在于所述步驟（2）和步驟（3）中高絕緣性能聚合物薄層選自Parylene?N、Parylene?C、Parylene?D、Parylene?F和Parylene?AF4中的一種或多種。

4.如權(quán)利要求1所述的一種高性能聚丙烯基電容器薄膜的制備方法，其特征在于所述步驟（1）中升華的條件為：溫度100~200℃，真空度1.0?torr；所述裂解的條件為：裂解溫度500~700℃，真空度0.5?torr，所述惰性氣體選自氮?dú)狻⒑狻鍤狻⒛蕷庵械囊环N或多種。

5.如權(quán)利要求1所述的一種高性能聚丙烯基電容器薄膜的制備方法，其特征在于所述步驟（2）中沉積的條件為：溫度-10~35℃，真空度0.1?torr。

6.如權(quán)利要求1所述的一種高性能聚丙烯基電容器薄膜的制備方法，其特征在于所述步驟（2）中表面活化處理包括等離子體處理法、離子注入法、電暈處理。

7.一種高性能聚丙烯基電容器薄膜，其特征在于是通過(guò)如權(quán)利要求1-6中任一所述的制備方法獲得的。

8.如權(quán)利要求7所述的一種高性能聚丙烯基電容器薄膜在高儲(chǔ)能脈沖電容器、電動(dòng)、混合動(dòng)力汽車(chē)電容器中應(yīng)用。