[發(fā)明專利]一種基于多模共振的太赫茲波導型選模器

在審

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• 申請日: 2022-05-24
• 公開（公告）號: CN114824705A
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發(fā)明（設計）人: 陶智勇;張仕旸;馬靜;何海玲;劉歡;佟成國;樊亞仙
• 申請（專利權）人: 桂林電子科技大學
• 主分類號: H01P1/207
• 分類號: H01P1/207
• 代理公司: 北京漢迪信和知識產權代理事務所(普通合伙) 16085
• 代理人: 趙景煥

1.一種基于多模共振的太赫茲波導型選模器，其特征在于，其包括兩塊刻有周期起伏凹槽結構的平板，平板表面敷設有太赫茲頻段損耗較低的金屬材料，兩塊平板的凹槽結構相對稱平行設置，且兩塊平板的凹槽結構之間構成一個具有矩形結構的空腔。

2.根據權利要求1所述的基于多模共振的太赫茲波導型選模器，其特征在于，所述金屬材料采用金，其在太赫茲波段的損耗系數約為6cm^-1。

3.根據權利要求2所述的基于多模共振的太赫茲波導型選模器，其特征在于，在矩形結構的空腔內充入在太赫茲頻段內敏感的電介質，以實現太赫茲工作頻段的調諧。

4.根據權利要求3所述的基于多模共振的太赫茲波導型選模器，其特征在于，所述電介質為液晶材料。

5.根據權利要求2所述的基于多模共振的太赫茲波導型選模器，其特征在于，平板采用光刻技術在非金屬材料上加工形成。

6.根據權利要求4所述的基于多模共振的太赫茲波導型選模器，其特征在于，基于多模共振的太赫茲波導型選模器空腔內所充入液晶的有效折射率n(θ)與旋轉角度θ有關，可表示為：

其中，n_o為液晶的尋常光折射率和為n_e非尋常光折射率。

7.根據權利要求1所述的基于多模共振的太赫茲波導型選模器，其特征在于，兩塊刻有周期起伏凹槽結構的平板包括上平板和下平板，上平板的下表面與下平板的上表面相對應設置且平行設置，上平板的凹槽與下平板的凹槽對應構成一個個矩形結構的空腔，多個矩形結構的空腔構成一組矩形周期起伏結構。

8.根據權利要求5所述的基于多模共振的太赫茲波導型選模器，其特征在于，所述非金屬材料為亞克力、玻璃或硅片。

9.根據權利要求8所述的基于多模共振的太赫茲波導型選模器，其特征在于，矩形結構的空腔與太赫茲波入射方向相垂直；太赫茲波從入射端入射，經過基于多模共振的太赫茲波導型選模器從出射端射出，太赫茲波在矩形周期起伏結構中發(fā)生多模共振的相互作用。

10.根據權利要求7所述的基于多模共振的太赫茲波導型選模器，其特征在于，在垂直于上平板和下平板的縱向方向上，通過調整上平板和下平板的縱向位置來調整上平板和下平板的兩板平均間距，產生不同的太赫茲波共振結果。