[發明專利]一種分光與探測功能一體的硅基可見光探測器

在審

• 申請號: 202210568552.7
• 申請日: 2022-05-24
• 公開（公告）號: CN115000200A
• 公開（公告）日: 2022-09-02
• 發明（設計）人: 王博之;吳志鵬;王琦龍
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H01L31/0232
• 分類號: H01L31/0232;H01L31/105
• 代理公司: 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙) 32249
• 代理人: 任志艷

1.一種分光與探測功能一體的硅基可見光探測器，其特征在于，包括自下而上設置的底部電極、N型半導體層、本征半導體層、P型半導體層以及頂部電極；所述P型半導體表面開設有周期性排列的孔陣列。

2.根據權利要求1所述一種分光與探測功能一體的硅基可見光探測器，其特征在于，周期性孔陣列通過刻蝕而形成，周期為200～2000nm，刻蝕半徑為80～900nm，刻蝕深度為100nm～5000nm。

3.根據權利要求1所述一種分光與探測功能一體的硅基可見光探測器，其特征在于，孔陣列中的孔結構為圓柱、三棱柱和四棱柱中的一種或多種的組合結構。

4.根據權利要求1所述一種分光與探測功能一體的硅基可見光探測器，其特征在于，N型半導體層與P型半導體層的厚度均為100nm～5000nm，其材料為氧化鋅、氧化鈦、硅、鍺、砷化鎵、磷化銦或銦鎵砷，其結構為任意一種上述材料的層狀結構，與本征半導體層組成PIN結型的偏置結構。

5.根據權利要求1所述一種分光與探測功能一體的硅基可見光探測器，其特征在于，本征半導體層厚度為100nm～200nm，其材料為氧化鋅、氧化鈦、硅、鍺、砷化鎵、磷化銦或銦鎵砷。

6.根據權利要求1所述一種分光與探測功能一體的硅基可見光探測器，其特征在于，底部電極與頂部電極的厚度為50nm以上，其材料為金、銀、銅或者鋁中的一種或者多種上述金屬組成的合金。