[發(fā)明專利]一種優(yōu)化外延少子壽命的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210566892.6 | 申請日： | 2022-05-24 |
| 公開（公告）號： | CN114892267A | 公開（公告）日： | 2022-08-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張坤;杜金生;張強(qiáng);蔡闖;潘焱 | 申請（專利權(quán)）人： | 中環(huán)領(lǐng)先半導(dǎo)體材料有限公司 |
| 主分類號： | C30B25/16 | 分類號： | C30B25/16;C30B25/18 |
| 代理公司： | 蘇州高專知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32474 | 代理人： | 冷泠 |
| 地址： | 214200 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 優(yōu)化 外延 少子 壽命 方法 | ||
1.一種優(yōu)化外延少子壽命的方法，其特征在于，包括如下步驟：
S1、更改進(jìn)氣分配盒涂層，在金屬材質(zhì)外增加涂層；
S2、平衡反應(yīng)腔壓力，在硅片傳輸過程中，傳輸腔的壓力稍大于反應(yīng)腔，減少尾氣端雜質(zhì)元素的反灌；
S3、通過原位拋光腐蝕方式改善硅片表面的粗糙度和潔凈度，化學(xué)拋光修復(fù)表面的晶格結(jié)構(gòu)，從而降低外延和襯底界面層的缺陷密度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的優(yōu)化外延少子壽命的方法，其特征在于：所述S1中調(diào)整反應(yīng)腔尾氣處理器和傳輸腔尾氣處理器的負(fù)壓大小，使得在硅片傳輸過程中，傳輸腔的壓力稍大于反應(yīng)腔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的優(yōu)化外延少子壽命的方法，其特征在于：反應(yīng)腔尾氣處理器負(fù)壓為-2.5torr。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的優(yōu)化外延少子壽命的方法，其特征在于：傳輸腔尾氣處理器的負(fù)壓為-1.5torr。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的優(yōu)化外延少子壽命的方法，其特征在于：氣體的三條流向分別是：反應(yīng)腔向反應(yīng)腔尾氣處理器流動、傳輸腔向傳輸腔尾氣處理器流動、傳輸腔微量高純氮?dú)庀蚍磻?yīng)腔流動。
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