[發(fā)明專利]一種用于DRAM蒸鍍工藝的去除籽晶層雜質(zhì)方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210565863.8
• 申請(qǐng)日: 2022-05-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114657515A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-06-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李相遇;徐禎秀;安重鎰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 成都高真科技有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/24
• 分類號(hào): C23C14/24;C23C14/58;H01L21/768
• 代理公司: 成都九鼎天元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51214
• 代理人: 黎飛

1.一種用于DRAM蒸鍍工藝的去除籽晶層雜質(zhì)方法，其特征在于，在蒸鍍籽晶層后，進(jìn)行H₂退火工序和/或H₂遠(yuǎn)程等離子處理工序。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于DRAM蒸鍍工藝的去除籽晶層雜質(zhì)方法，其特征在于，包括按時(shí)間先后順序依次設(shè)置的結(jié)籽工序、沉積乙硅烷工序、沉積甲硅烷工序，H₂退火工序和/或H₂遠(yuǎn)程等離子處理工序設(shè)于結(jié)籽工序與沉積乙硅烷工序之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于DRAM蒸鍍工藝的去除籽晶層雜質(zhì)方法，其特征在于，H₂退火工序和/或H₂遠(yuǎn)程等離子處理工序還設(shè)于沉積乙硅烷工序與沉積甲硅烷工序之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種用于DRAM蒸鍍工藝的去除籽晶層雜質(zhì)方法，其特征在于，H₂退火工序和/或H₂遠(yuǎn)程等離子處理工序還設(shè)于沉積甲硅烷工序之后。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種用于DRAM蒸鍍工藝的去除籽晶層雜質(zhì)方法，其特征在于，進(jìn)行H₂退火工序和/或H₂遠(yuǎn)程等離子處理工序的溫度條件為400℃~600℃。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種用于DRAM蒸鍍工藝的去除籽晶層雜質(zhì)方法，其特征在于，進(jìn)行H₂退火工序和/或H₂遠(yuǎn)程等離子處理工序的壓強(qiáng)條件為0.1torr~200torr。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種用于DRAM蒸鍍工藝的去除籽晶層雜質(zhì)方法，其特征在于，進(jìn)行H₂退火工序和/或H₂遠(yuǎn)程等離子處理工序的操作時(shí)間30min。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種用于DRAM蒸鍍工藝的去除籽晶層雜質(zhì)方法，其特征在于，進(jìn)行H₂退火工序和/或H₂遠(yuǎn)程等離子處理工序的停止時(shí)機(jī)為硅基板和非晶硅薄膜內(nèi)的碳雜質(zhì)和氮雜質(zhì)含量均在1at.%以下。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種用于DRAM蒸鍍工藝的去除籽晶層雜質(zhì)方法，其特征在于，H₂退火工序包括對(duì)遠(yuǎn)程等離子體進(jìn)行加熱。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的一種用于DRAM蒸鍍工藝的去除籽晶層雜質(zhì)方法，其特征在于，該去除籽晶層雜質(zhì)方法用于DRAM元件的比特線生產(chǎn)、單元區(qū)域生產(chǎn)和/或接觸區(qū)域生產(chǎn)過(guò)程中。