[發明專利]半導體封裝件及其形成方法

在審

• 申請號: 202210564622.1
• 申請日: 2022-05-23
• 公開（公告）號: CN114975316A
• 公開（公告）日: 2022-08-30
• 發明（設計）人: 黃奕誠;黃泓憲;呂盈緒;唐心陸
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/427
• 分類號: H01L23/427;H01L21/48
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導體封裝件，其特征在于，包括：

管芯；以及

基板，包括層狀堆疊的多個層，所述管芯設置于所述基板上，所述基板中內埋有管狀結構，所述管狀結構的截面形狀是封閉的，并且所述管狀結構具有在水平平面中的接合面。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，所述管狀結構由兩種不同晶格排列的金屬材料構成。

3.根據權利要求2所述的半導體封裝件，其特征在于，兩種不同晶格排列的金屬材料包括第一金屬材料和位于所述第一金屬材料外圍的第二金屬材料，其中，所述第二金屬材料形成所述管狀結構的外表面，所述第二金屬材料比所述第一金屬材料更致密。

4.根據權利要求3所述的半導體封裝件，其特征在于，所述第一金屬材料為電鍍金屬層，所述第二金屬材料為濺鍍晶種層。

5.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，所述管狀結構的內表面是具有微結構的粗糙表面。

6.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，所述管狀結構的一端與所述管芯的位置重疊。

7.根據權利要求6所述的半導體封裝件，其特征在于，所述管狀結構的另一端連接至冷區。

8.根據權利要求7所述的半導體封裝件，其特征在于，所述冷區包括位于所述基板下方的通孔。

9.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，所述管狀結構包括彎折部，所述彎折部臨近所述基板中的通孔設置。

10.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，所述管狀結構的所述接合面與所述管狀結構的延伸方向平行。

11.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，所述基板的所述多個層中的相鄰層之間具有接合面。

12.根據權利要求11所述的半導體封裝件，其特征在于，所述管狀結構的所述接合面與所述基板的相鄰層之間的一個接合面重合。

13.一種形成半導體封裝件的方法，其特征在于，包括：

提供用于形成基板的第一介電層，并且在所述第一介電層的第一表面上形成第一凹槽；

提供用于形成所述基板的第二介電層，并且在所述第二介電層的第二表面上形成第二凹槽；

將所述第一介電層和所述第一表面與所述第二介電層的所述第二表面相對的壓合，使得所述第一凹槽與所述第二凹槽組合形成管狀結構。

14.根據權利要求13所述的方法，其特征在于，在將所述第一介電層和所述第一表面與所述第二介電層的所述第二表面相對的壓合之前，所述方法還包括：

通過濺鍍制程在所述第一凹槽和所述第二凹槽內的表面上形成晶種層；

通過電鍍制程在所述晶種層上形成金屬層。