[發(fā)明專利]高溫等離子體邊界光信號采集裝置及其加工方法

在審

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• 申請日: 2022-05-23
• 公開（公告）號: CN115047567A
• 公開（公告）日: 2022-09-13
• 發(fā)明（設計）人: 劉念;周能濤;孫亞運;張虎;曹福坤
• 申請（專利權）人: 合肥聚能電物理高技術開發(fā)有限公司
• 主分類號: G02B6/36
• 分類號: G02B6/36
• 代理公司: 合肥市科融知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 34126
• 代理人: 李慧

本發(fā)明公開了一種高溫等離子體邊界光信號采集裝置及其加工方法，采集裝置包括探頭組件及固定在探頭組件中的光纖、晶片；所述探頭組件包括探頭殼體及設置在探頭殼體中的探頭芯體，探頭殼體外設有與其形狀相適配的屏蔽罩，探頭芯體包括層級疊放的鉬板，探頭殼體包括相對設置的探頭上鉬殼及探頭下鉬殼，鉬板表面及探頭上鉬殼、探頭下鉬殼內(nèi)側的中部沿長度方向上設有光纖槽，光纖槽端部設有與其相接的晶片放置槽，探頭殼體與探頭芯體之間通過內(nèi)部螺釘鎖緊固定，探頭組件與屏蔽罩之間通過外部螺釘鎖緊固定；加工方法包括鎖緊固定等步驟。本發(fā)明結構緊湊，體積小、質(zhì)量輕，能夠承受較大慣性力及高溫考驗；同時也具有采集精度高的優(yōu)勢。

技術領域

本發(fā)明涉及光信號采集裝置技術領域，具體涉及一種核聚變裝置中的高溫等離子體邊界光信號采集裝置及其加工方法。

背景技術

目前，核聚變裝置運行參數(shù)越來越高，在采集等離子體邊界光信號的難度也越來越大。根據(jù)EAST裝置的運行參數(shù)，采集裝置晶片每秒鐘溫升到達上千攝氏度以上，同時也有大量的雜波信號影響信號采集，所以必須在采集過程中快速進出等體邊界，降低熱量的導入，并且能夠屏蔽雜波信號的輸入，以保證采集裝置的正常運行。而現(xiàn)有技術中的光信號采集裝置難以達到上述要求。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于克服上述現(xiàn)有技術的不足，一方面提供一種能夠滿足核聚變裝置中的高溫等離子體邊界光信號采集要求的裝置。

一種高溫等離子體邊界光信號采集裝置，包括探頭組件及固定在探頭組件中的光纖、晶片；所述探頭組件包括探頭殼體及設置在探頭殼體中的探頭芯體，探頭殼體外設有與其形狀相適配的屏蔽罩，探頭芯體包括層級疊放的鉬板，探頭殼體包括相對設置的探頭上鉬殼及探頭下鉬殼，鉬板表面及探頭上鉬殼、探頭下鉬殼內(nèi)側的中部沿長度方向上設有光纖槽，光纖槽端部設有與其相接的晶片放置槽，探頭殼體與探頭芯體之間通過內(nèi)部螺釘鎖緊固定，探頭組件與屏蔽罩之間通過外部螺釘鎖緊固定。

另一方面提供一種制造上述溫等離子體邊界光信號采集裝置的加工方法。

一種高溫等離子體邊界光信號采集裝置的加工方法，用于加工上述溫等離子體邊界光信號采集裝置，包括以下步驟：

（1）、加工鉬板、探頭上鉬殼及探頭下鉬殼的裝配基準，然后再加工光纖槽及晶片放置槽；

（2）、在底層鉬板從下至上穿入內(nèi)部螺釘；

（3）、將光纖與晶片放入步驟（3）中底層鉬板的光纖槽及晶片放置槽中；

（4）、按步驟（3）-（4）的方式由下至上放置各層鉬板，以及各鉬板上的光纖與晶片，構成探頭芯體；

（5）、將探頭上鉬殼、探頭下鉬殼裝配到探頭芯體的上下側，并通過內(nèi)部螺釘實現(xiàn)探頭組件整體的鎖緊固定；

（6）、通過外部螺釘實現(xiàn)探頭組件與屏蔽罩的鎖緊固定。

本發(fā)明結構緊湊，與現(xiàn)有光信號采集裝置相較體積小、質(zhì)量輕，從而具有安裝方便、能夠承受較大慣性力的優(yōu)勢；而且通過配合鉬的使用，使整個裝置能夠承受高溫考驗；同時通過采用屏蔽罩及晶片、光纖結合處在各層鉬上的錯位布置，可屏蔽掉絕大多數(shù)雜波信號誤入光路，提高了采集精度。

采用本發(fā)明所述的加工方法，不僅降低了加工和裝配難度，而且極大地減小了裝配間隙和裝配誤差，提高了光纖和晶片的定位精度。

本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點將在隨后的具體實施方式部分予以詳細說明。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實施例的結構示意圖；

圖2為本實施例中探頭組件的安裝結構示意圖；

圖3為本實施例中探頭芯體的安裝結構示意圖。