[發(fā)明專利]阻性器件及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210563432.8
• 申請(qǐng)日: 2022-05-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114899313A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-08-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李少青;周維亞;王艷春;解思深
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院物理研究所
• 主分類號(hào): H01L45/00
• 分類號(hào): H01L45/00;G16C10/00;G16C60/00
• 代理公司: 北京智匯東方知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11391
• 代理人: 王曉雪

1.一種阻性器件的制造方法，包括：

基于張量的多維模型預(yù)測(cè)所述阻性器件的阻變材料的相變所引起的相變過(guò)程的電阻值；以及

根據(jù)預(yù)測(cè)結(jié)果制造所述阻性器件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，

基于張量的多維模型預(yù)測(cè)所述阻性器件的阻變材料的相變所引起的相變過(guò)程的電阻值的步驟包括：

建立N×M×P的三階張量T_state，并將所述阻變材料的各處物相狀態(tài)一一映射到所述三階張量T_state，其中，N、M、

調(diào)控所述阻變材料各處的物相狀態(tài)，且在每次調(diào)控時(shí)迭代所述三階張量T_state，得到N×M×P個(gè)更新的三階張量T_state；

基于預(yù)設(shè)的映射關(guān)系針對(duì)各個(gè)所述三階張量T_state的張量元重新賦值，從而將各個(gè)所述三階張量T_state一一映射到N×M×P個(gè)N×M×P的三階張量T_R，使N×M×P個(gè)所述三階張量T_R記錄所述阻變材料各處的相變過(guò)程的電阻值；以及

根據(jù)各個(gè)所述三階張量T_R計(jì)算所述阻變材料的各個(gè)相變過(guò)程的等效電阻，從而得到所述阻變材料的各個(gè)相變過(guò)程的電阻值。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其中，

建立N×M×P的三階張量T_state，并將所述阻變材料的各處物相狀態(tài)一一映射到所述三階張量T_state的步驟包括：

測(cè)量所述阻變材料的長(zhǎng)度、寬度和高度，分別記為L(zhǎng)、W、H，預(yù)設(shè)空間精度a，則所述N＝round(L/a)，所述M＝round(W/a)，所述P＝round(H/a)，其中，所述a為長(zhǎng)度量綱，a0且

測(cè)量所述阻變材料相變過(guò)程中出現(xiàn)的所有物相，從初態(tài)至末態(tài)依次記為P₀，P₁，…，則所述三階張量T_state的張量元的取值分別為0，1，2，…，n，且所述三階張量T_state的各個(gè)張量元的取值與所述阻變材料的所有物相按順序一一對(duì)應(yīng)，所述三階張量T_state的張量元的指標(biāo)代表該張量元所對(duì)應(yīng)的材料位置。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其中，

調(diào)控所述阻變材料各處的物相狀態(tài)，且在每次調(diào)控時(shí)迭代所述三階張量T_state，在N×M×P次調(diào)控使材料各處均處于終態(tài)物相時(shí)，得到共N×M×P個(gè)更新的三階張量T_state的步驟包括：

在所有非空元的張量元中，隨機(jī)地選中一個(gè)張量元，若被選中的張量元的取值n，則將其取值加1，得到一個(gè)更新的三階張量T_state，若被選中的張量元的取值為n，則重新隨機(jī)地選中一個(gè)張量元，并做上述判定，直到選中一個(gè)取值為非n的張量元；當(dāng)所有張量元的取值為n時(shí)，結(jié)束調(diào)控；且

本步驟中，每次調(diào)控分別獲得一個(gè)更新的三階張量T_state，N×M×P個(gè)所述三階張量T_state分別用于描述所述阻變材料從初態(tài)到終態(tài)所經(jīng)歷的一系列狀態(tài)；各個(gè)張量元被選中的概率相等，或者各個(gè)張量元被選中的概率與其描述的阻變材料的物相的電阻率成反比。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其中，

基于預(yù)設(shè)的映射關(guān)系針對(duì)各個(gè)所述三階張量T_state的張量元重新賦值的步驟包括：

獲取邊長(zhǎng)為a的立方體形狀的阻變材料處于各個(gè)物相時(shí)的電阻值，記為所述阻變材料的單一晶粒的各個(gè)物相的電阻值；

根據(jù)所述阻變材料的單一晶粒的各個(gè)物相的電阻值針對(duì)各個(gè)所述三階張量T_state的張量元重新賦值，從而得到所述三階張量T_R中張量元的取值。