[發明專利]阻性器件及其制備方法

在審

• 申請號: 202210563432.8
• 申請日: 2022-05-20
• 公開（公告）號: CN114899313A
• 公開（公告）日: 2022-08-12
• 發明（設計）人: 李少青;周維亞;王艷春;解思深
• 申請（專利權）人: 中國科學院物理研究所
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;G16C10/00;G16C60/00
• 代理公司: 北京智匯東方知識產權代理事務所(普通合伙) 11391
• 代理人: 王曉雪

1.一種阻性器件的制造方法，包括：

基于張量的多維模型預測所述阻性器件的阻變材料的相變所引起的相變過程的電阻值；以及

根據預測結果制造所述阻性器件。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其中，

基于張量的多維模型預測所述阻性器件的阻變材料的相變所引起的相變過程的電阻值的步驟包括：

建立N×M×P的三階張量T_state，并將所述阻變材料的各處物相狀態一一映射到所述三階張量T_state，其中，N、M、

調控所述阻變材料各處的物相狀態，且在每次調控時迭代所述三階張量T_state，得到N×M×P個更新的三階張量T_state；

基于預設的映射關系針對各個所述三階張量T_state的張量元重新賦值，從而將各個所述三階張量T_state一一映射到N×M×P個N×M×P的三階張量T_R，使N×M×P個所述三階張量T_R記錄所述阻變材料各處的相變過程的電阻值；以及

根據各個所述三階張量T_R計算所述阻變材料的各個相變過程的等效電阻，從而得到所述阻變材料的各個相變過程的電阻值。

3.根據權利要求2所述的制造方法，其中，

建立N×M×P的三階張量T_state，并將所述阻變材料的各處物相狀態一一映射到所述三階張量T_state的步驟包括：

測量所述阻變材料的長度、寬度和高度，分別記為L、W、H，預設空間精度a，則所述N＝round(L/a)，所述M＝round(W/a)，所述P＝round(H/a)，其中，所述a為長度量綱，a0且

測量所述阻變材料相變過程中出現的所有物相，從初態至末態依次記為P₀，P₁，…，則所述三階張量T_state的張量元的取值分別為0，1，2，…，n，且所述三階張量T_state的各個張量元的取值與所述阻變材料的所有物相按順序一一對應，所述三階張量T_state的張量元的指標代表該張量元所對應的材料位置。

4.根據權利要求2所述的制造方法，其中，

調控所述阻變材料各處的物相狀態，且在每次調控時迭代所述三階張量T_state，在N×M×P次調控使材料各處均處于終態物相時，得到共N×M×P個更新的三階張量T_state的步驟包括：

在所有非空元的張量元中，隨機地選中一個張量元，若被選中的張量元的取值n，則將其取值加1，得到一個更新的三階張量T_state，若被選中的張量元的取值為n，則重新隨機地選中一個張量元，并做上述判定，直到選中一個取值為非n的張量元；當所有張量元的取值為n時，結束調控；且

本步驟中，每次調控分別獲得一個更新的三階張量T_state，N×M×P個所述三階張量T_state分別用于描述所述阻變材料從初態到終態所經歷的一系列狀態；各個張量元被選中的概率相等，或者各個張量元被選中的概率與其描述的阻變材料的物相的電阻率成反比。

5.根據權利要求2所述的制造方法，其中，

基于預設的映射關系針對各個所述三階張量T_state的張量元重新賦值的步驟包括：

獲取邊長為a的立方體形狀的阻變材料處于各個物相時的電阻值，記為所述阻變材料的單一晶粒的各個物相的電阻值；

根據所述阻變材料的單一晶粒的各個物相的電阻值針對各個所述三階張量T_state的張量元重新賦值，從而得到所述三階張量T_R中張量元的取值。