[發(fā)明專利]Micro-LED顯示基板及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210562330.4 | 申請日： | 2022-05-23 |
| 公開（公告）號： | CN114725253A | 公開（公告）日： | 2022-07-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李雍;瞿澄;陳文娟;周良軍 | 申請（專利權(quán)）人： | 羅化芯顯示科技開發(fā)（江蘇）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/62;H01L33/64 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 226000 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | micro led 顯示 及其 制造 方法 | ||
1.一種Micro-LED顯示基板的制造方法，其特征在于：包括以下步驟：
步驟（1）：提供一生長基底，在所述生長基底上依次形成第一半導(dǎo)體層、發(fā)光功能層、第二半導(dǎo)體層和透光性導(dǎo)電層；
步驟（2）：接著提供第一轉(zhuǎn)移基底，將所述生長基底上的透光性導(dǎo)電層貼合至所述第一轉(zhuǎn)移基底，接著對所述第一半導(dǎo)體層、所述發(fā)光功能層、所述第二半導(dǎo)體層和所述透光性導(dǎo)電層進(jìn)行刻蝕處理，以形成多個呈矩陣排列的Micro-LED單元，相鄰兩個所述Micro-LED單元之間具有貫穿開口；
步驟（3）：接著沉積導(dǎo)熱絕緣材料以形成一第一絕緣層，所述第一絕緣層填滿所述貫穿開口且覆蓋每個所述Micro-LED單元的第一半導(dǎo)體層；
步驟（4）：接著對所述第一絕緣層進(jìn)行刻蝕處理，形成暴露每個所述Micro-LED單元的所述第一半導(dǎo)體層的第一開孔，且在相鄰兩個所述Micro-LED單元之間的所述第一絕緣層中形成第一凹槽，所述第一凹槽的深度超過所述發(fā)光功能層所處的位置；
步驟（5）：接著在所述第一絕緣層上沉積金屬材料以形成第一金屬層，所述第一金屬層填充所述第一開孔且覆蓋所述第一凹槽的側(cè)壁和底面；
步驟（6）：接著對所述第一金屬層進(jìn)行圖案化處理，以在每個所述Micro-LED單元上形成第一導(dǎo)電部和第一散熱部，所述第一導(dǎo)電部與所述第一半導(dǎo)體層電連接，所述第一散熱部覆蓋每個所述Micro-LED單元的所述發(fā)光功能層的側(cè)壁；
步驟（7）：接著在所述第一散熱部上沉積金屬材料以形成第二金屬層，并對所述第二金屬層進(jìn)行圖案化處理，以在所述第一散熱部上形成第一散熱凸起，接著對所述第一絕緣層進(jìn)行切割處理，使得相鄰的兩個所述Micro-LED單元分離；
步驟（8）：接著提供一陣列基板，所述陣列基板上包括多個薄膜晶體管設(shè)置區(qū)和多個Micro-LED安裝區(qū)，在每個所述薄膜晶體管設(shè)置區(qū)設(shè)置一薄膜晶體管，且在每個所述Micro-LED安裝區(qū)設(shè)置一第二散熱部，所述第二散熱部的頂端設(shè)置一凹部；
步驟（9）：將多個所述Micro-LED單元分別轉(zhuǎn)移至所述陣列基板中相應(yīng)的所述Micro-LED安裝區(qū)上，使得每個所述第二散熱部與相應(yīng)的所述第一散熱部熱接觸，且使得所述第一散熱凸起嵌入到所述凹部中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Micro-LED顯示基板的制造方法，其特征在于：在所述步驟（1）中，所述生長基底為硅基底、碳化硅基底、藍(lán)寶石基底和氮化鎵基底中的一種，在生長所述第一半導(dǎo)體層之前，在所述生長基底上先生長一緩沖層，所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層為氮化鎵、氮化鋁鎵、砷化鎵、磷化鎵中的一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Micro-LED顯示基板的制造方法，其特征在于：在所述步驟（2）中，在所述第一轉(zhuǎn)移基底上設(shè)置一粘合材料層，進(jìn)而利用所述粘合材料層將所述透光性導(dǎo)電層粘合至所述第一轉(zhuǎn)移基底，通過濕法刻蝕工藝或干法刻蝕工藝進(jìn)行所述刻蝕處理。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Micro-LED顯示基板的制造方法，其特征在于：在所述步驟（3）中，所述第一絕緣層的材料為氧化鋁、氮化鋁、碳化硅、氮化硅中的一種，所述第一絕緣層通過化學(xué)氣相沉積工藝或原子層沉積工藝形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Micro-LED顯示基板的制造方法，其特征在于：在所述步驟（5）中，所述第一金屬層的材料為銅、鋁、銀、鎳中的一種，所述第一金屬層通過磁控濺射、熱蒸鍍、化學(xué)鍍、電鍍、電子束蒸發(fā)中的一種或多種工藝制備，所述第一金屬層中位于所述第一凹槽的部分與所述第一凹槽共形。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Micro-LED顯示基板的制造方法，其特征在于：在所述步驟（6）中，利用激光或刀具對所述第一絕緣層進(jìn)行切割處理。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Micro-LED顯示基板的制造方法，其特征在于：在所述步驟（7）中，通過對所述陣列基板的每個所述Micro-LED安裝區(qū)進(jìn)行開孔處理，進(jìn)而填充金屬材料以形成所述第二散熱部。
8.一種Micro-LED顯示基板，其特征在于，采用權(quán)利要求1-7任一項所述的制造方法形成的。
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