[發(fā)明專利]覆蓋結構、發(fā)聲封裝及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210562297.5 | 申請日： | 2022-05-23 |
| 公開（公告）號： | CN115442702A | 公開（公告）日： | 2022-12-06 |
| 發(fā)明（設計）人： | 溫海宏;李維洋 | 申請（專利權）人： | 知微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H04R1/22 | 分類號： | H04R1/22;H04R19/02 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人： | 王濤;葉明川 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 覆蓋 結構 發(fā)聲 封裝 及其 制造 方法 | ||
1.一種覆蓋結構，其特征在于，設置在一發(fā)聲封裝內，所述覆蓋結構包括：
一第一部分，配置來形成具有一第一直徑的一第一聲音出口；
一第二部分，配置來形成具有一第二直徑的一腔室；以及
一第三部分，配置來形成具有一第三直徑的一第二聲音出口；
其中，所述第一聲音出口、所述腔室及所述第二聲音出口提供一聲音路徑，所述第一直徑小于所述第二直徑，且所述第三直徑小于所述第二直徑；
其中，所述第二部分設置于所述第一部分及所述第三部分之間。
2.如權利要求1所述的覆蓋結構，其特征在于，所述第一部分、所述第二部分及所述第三部分由一模具塑料制成。
3.如權利要求1所述的覆蓋結構，其特征在于，所述第三部分為所述覆蓋結構的一內側部分，所述第一部分為所述覆蓋結構的一外側部分，且所述第一直徑小于所述第三直徑。
4.如權利要求1所述的覆蓋結構，其特征在于，一駐波形成于所述腔室內。
5.如權利要求4所述的覆蓋結構，其特征在于，所述駐波對應于大于或等于10千赫茲的一特定頻率，且所述特定頻率為所述腔室的一峰值傳輸損耗頻率。
6.如權利要求5所述的覆蓋結構，其特征在于，所述腔室的一高度被選擇以使得所述特定頻率大于或等于10千赫茲。
7.如權利要求5所述的覆蓋結構，其特征在于，所述第二直徑及所述第一直徑的一比值被選擇以使得在所述特定頻率處的聲壓級的一抑制程度至少為10分貝；
其中，所述抑制程度是相對于內部沒有形成腔室的覆蓋結構的情況。
8.一種發(fā)聲封裝，其特征在于，包括：
一發(fā)聲裝置，配置以產生一聲波；以及
一覆蓋結構，配置以覆蓋所述發(fā)聲裝置，所述覆蓋結構包括：
一第一部分，配置來形成具有一第一直徑的一第一聲音出口；
一第二部分，配置來形成具有一第二直徑的一腔室；以及
一第三部分，配置來形成具有一第三直徑的一第二聲音出口；
其中，所述第一聲音出口、所述腔室及所述第二聲音出口提供一聲音路徑，所述第一直徑小于所述第二直徑，且所述第三直徑小于所述第二直徑；
其中，所述第二部分設置于所述第一部分及所述第三部分之間。
9.如權利要求8所述的發(fā)聲封裝，其特征在于，所述第一部分、所述第二部分及所述第三部分由一模具塑料制成。
10.如權利要求8所述的發(fā)聲封裝，其特征在于，所述第三部分為所述覆蓋結構的一內側部分，所述第一部分為所述覆蓋結構的一外側部分，且所述第一直徑小于所述第三直徑。
11.如權利要求8所述的發(fā)聲封裝，其特征在于，一駐波形成于所述腔室內。
12.如權利要求11所述的發(fā)聲封裝，其特征在于，所述駐波對應于大于或等于10千赫茲的一特定頻率，且所述特定頻率為所述腔室的一峰值傳輸損耗頻率。
13.如權利要求12所述的發(fā)聲封裝，其特征在于，所述腔室的一高度被選擇以使得所述特定頻率大于或等于10千赫茲。
14.如權利要求12所述的發(fā)聲封裝，其特征在于，所述第二直徑及所述第一直徑的一比值被選擇以使得在所述特定頻率處的聲壓級的一抑制程度至少為10分貝；
其中，所述抑制程度是相對于內部沒有形成腔室的覆蓋結構的情況。
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