[發明專利]一種一維碳納米管原子氧剝蝕率的測量方法在審
| 申請號： | 202210561030.4 | 申請日： | 2022-05-23 |
| 公開（公告）號： | CN114994113A | 公開（公告）日： | 2022-09-02 |
| 發明（設計）人： | 李蔓;劉宇明;崔乃元;張永泰;于強;李宇;王晶虎 | 申請（專利權）人： | 北京衛星環境工程研究所 |
| 主分類號： | G01N23/2251 | 分類號： | G01N23/2251;G01B21/02 |
| 代理公司： | 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 郭棟梁 |
| 地址： | 100094 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 一維碳 納米 原子 剝蝕 測量方法 | ||
1.一種一維碳納米管原子氧剝蝕率的測量方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1.選擇測量的碳納米管樣品，并將其放置于樣品臺；
S2.調試測量設備，測量設備包括掃描電鏡、樣品柱和圖像測量設備；
S3.操作測量設備，對樣品臺上的碳納米管樣品進行碳納米管原子氧試驗，得到測量數據；
S4.對測量數據進行數據處理，計算得到碳納米管原子氧剝蝕率。
2.根據權利要求1所述的一種一維碳納米管原子氧剝蝕率的測量方法，其特征在于，所述步驟S1中的碳納米管樣品選擇垂直生長的碳納米管陣列。
3.根據權利要求1所述的一種一維碳納米管原子氧剝蝕率的測量方法，其特征在于，所述步驟S2中測量設備的調試包括以下步驟：
S21.掃描電鏡：二次電子分辨率大于2nm；
S22.樣品柱：工作面的高度進行調節；
S23.圖像測量設備：圖像測量設備的量程不小于圖像尺度，讀數不確定度忽略不計；
S24.標定：利用標準樣塊對掃描電鏡進行標定。
4.根據權利要求1所述的一種一維碳納米管原子氧剝蝕率的測量方法，其特征在于，所述步驟S3中的操作測量設備包括以下步驟：
S31.獲取被測碳納米管樣品的二次電子像；
S32.將掃描電鏡的樣品臺的傾斜角度調整到零位；
S33.選取合適的放大倍數，獲取碳納米管樣品的放大圖像；
S34.平移樣品臺，使被測碳納米管樣品分度的圖像處于視場的中部，通過調節透鏡電流聚焦后，獲取被測碳納米管樣品分度的圖像，并讀取碳納米管樣品長度數據；
S35.對進行原子氧試驗前的碳納米管樣品進行長度測量，得到L1；
S36.按照GJB-2502，開展原子氧試驗，試驗中，碳納米管樣品的安放使得碳納米管軸向與原子氧入射方向一致，原子氧注量為Φ；
S37.對進行原子氧試驗后的碳納米管樣品進行長度測量，得到L2。
5.根據權利要求1所述的一種一維碳納米管原子氧剝蝕率的測量方法，其特征在于，所述步驟S4中對測量數據進行數據處理包括以下步驟：
S41.計算碳納米管原子氧剝蝕長度△L：△L=L1-L2；
S42.計算碳納米管原子氧剝蝕率k：k=△L/Φ。
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