[發明專利]一種增透減反層疊體及其應用和制備方法

在審

• 申請號: 202210560809.4
• 申請日: 2022-05-19
• 公開（公告）號: CN114966910A
• 公開（公告）日: 2022-08-30
• 發明（設計）人: 胡超川;朱磊;張繼凡
• 申請（專利權）人: 安徽立光電子材料股份有限公司
• 主分類號: G02B1/115
• 分類號: G02B1/115;G02B1/10
• 代理公司: 北京市隆安律師事務所 11323
• 代理人: 權鮮枝

1.一種增透減反層疊體，其特征在于，包括：

基底層；

打底層，兩個所述打底層與所述基底層中的兩側表面分別接觸；

增透減反層，所述增透減反層設置在每一個所述打底層中遠離所述基底層一側的表面上，所述增透減反層由高折射率層和低折射率層交替堆疊而成。

2.根據權利要求1所述的增透減反層疊體，其特征在于，所述基底層的主體材料和所述打底層的主體材料相同。

3.根據權利要求1或2所述的增透減反層疊體，其特征在于，所述基底層的主體材料為含有70％以上SiO₂的玻璃，所述打底層的主體材料為SiO₂。

4.根據權利要求1或2所述的增透減反層疊體，其特征在于，所述增透減反層疊體具有三層以上的所述高折射率層和三層以上的所述低折射率層，所述高折射率層的折射率高于所述基底層的折射率，所述低折射率層的折射率低于所述基底層的折射率。

5.根據權利要求4所述的增透減反層疊體，其特征在于，

與兩個所述打底層接觸的兩個所述增透減反層的結構相同，均包括依次排列的作為第一層的高折射率層、作為第二層的低折射率層、作為第三層的高折射率層、作為第四層的低折射率層、作為第五層的高折射率層和作為第六層的低折射率層；其中，所述打底層與所述第一層接觸并且厚度大于等于10納米且小于等于30納米；所述第一層與所述第二層接觸并且厚度大于等于8納米且小于等于20納米；所述第二層與所述第三層接觸并且厚度大于等于30納米且小于等于50納米；所述第三層與所述第四層接觸并且厚度大于等于40納米且小于等于60納米；所述第四層與所述第五層接觸并且厚度大于等于8納米且小于等于18納米；所述第五層與所述第六層接觸并且厚度大于等于40納米且小于等于60納米；所述第六層位于最外側并且厚度大于等于80納米且小于等于110納米。

6.根據權利要求1或2所述的增透減反層疊體，其特征在于，所述高折射率層的主體材料為Nb₂O₅，所述低折射率層的主體材料為SiO₂。

7.將權利要求1至6中任意一項所述的增透減反層疊體應用于電視顯示屏、電腦顯示屏、儀表面板、玻璃蓋板或相框玻璃中的任意一種。

8.一種增透減反層疊體的制備方法，其特征在于，包括下述制備步驟：

1)將用于制作打底層的靶材、用于制作第一層的靶材、......、用于制作第N層的靶材分別安裝在鍍膜箱體中的兩側，關閉箱體門，并對所述鍍膜箱體進行抽真空處理，所述N為大于等于2的整數，所述增透減反層包括所述第一層、......、所述第N層；

2)開啟加熱使所述鍍膜箱體的內部溫度升至250～350℃，去除所述鍍膜箱體的內部水氣和雜質氣體；

3)當所述鍍膜箱體內部真空度達到大于等于4×10^-4pa小于等于6×10^-4時，向所述鍍膜箱體內充入氬氣與氧氣，直至所述鍍膜箱體內部工作壓強穩定在0.3Pa～0.8Pa，同時開啟制作所述打底層的靶材的電源和制作所述第一層的靶材的電源至制作所述第N層的靶材的電源；

4)通過磁流體和磁導向使基底層在鍍膜箱體中移動，在所述鍍膜箱體內進行磁控濺射，通過氬氣電離Ar+正離子轟擊不同靶材的表面，在所述基底層上沉積形成所述打底層、所述第一層、......、所述第N層，得到成型的基底層的兩面都增透減反層疊體；

5)將完成鍍膜后的成型的增透減反層疊體置于退火箱體內進行真空冷卻退火處理，由此得到最終的增透減反層疊體。