[發明專利]一種二硫化鉬氣敏探測器

在審

• 申請號: 202210560708.7
• 申請日: 2022-05-23
• 公開（公告）號: CN114813882A
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發明（設計）人: 王澤高;陶銳
• 申請（專利權）人: 四川大學
• 主分類號: G01N27/414
• 分類號: G01N27/414
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種二硫化鉬氣敏探測器，其特征在于，包括導電硅基底材料（1）、底柵介質材料（2）、二硫化鉬（3）、源電極（4）、漏電極（5）和光照（6）；二硫化鉬導電層（3）位于底柵介質材料（2）表面，源電極（4）和漏電極（5）位于二硫化鉬（2）兩端；氣敏探測器還包括導電硅基底材料（1）和底柵介質材料（2），二硫化鉬（3）位于上方作為頂部并與源電極（4）和漏電極（5）相連。

2.根據權利要求1所述的二硫化鉬氣敏探測器，其特征在于，所述的底柵介質材料是SiO₂、Al₂O₃、HfO₂中的一種。

3.根據權利要求1所述的二硫化鉬氣敏探測器，其特征在于，所述的底柵介質（2）為具有50-300 nm的底柵介質材料，并且底柵介質材料（2）將導電硅基底材料（1）和二硫化鉬（3）隔離開。

4.根據權利要求1所述的二硫化鉬氣敏探測器，其特征在于，二硫化鉬（2）厚度為0.7-20 nm。

5.根據權利要求1所述的二硫化鉬氣敏探測器，其特征在于，光照（6）為波長200-500nm的光，其光功率為0.01-100 mW/cm²。

6.根據權利要求1所述的二硫化鉬氣敏探測器，其特征在于，導電層二硫化鉬（3）可根據實際應用選擇純二硫化鉬或異族元素摻雜二硫化鉬。