[發明專利]近紅外表面等離激元近場增強型高遷移率晶體管探測器在審
| 申請號： | 202210559835.5 | 申請日： | 2022-05-23 |
| 公開（公告）號： | CN114914316A | 公開（公告）日： | 2022-08-16 |
| 發明（設計）人： | 安慧敏;陳鵬;豐建波;潘傳真;謝自力;修向前;陳敦軍;劉斌;趙紅;張榮;鄭有炓 | 申請（專利權）人： | 南京大學 |
| 主分類號： | H01L31/0304 | 分類號： | H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/112 |
| 代理公司： | 江蘇斐多律師事務所 32332 | 代理人： | 張佳妮 |
| 地址： | 210023 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 紅外 表面 離激元 近場 增強 遷移率 晶體管 探測器 | ||
1.一種近紅外表面等離激元近場增強型高遷移率晶體管探測器，其特征在于自下而上依次包括：襯底層、成核GaN層、底部GaN緩沖層、InGaN漸變層、InN層、GaN頂層，源極和漏級，所述GaN頂層在源極和漏級之間設有散布或矩陣分布金納米顆粒的區域。
2.根據權利要求1所述的近紅外表面等離激元近場增強型高遷移率晶體管探測器，其特征在于：所述金納米顆粒的直徑為20～～200nm，分布間距：直徑＝1～100。
3.根據權利要求2所述的近紅外表面等離激元近場增強型高遷移率晶體管探測器，其特征在于：所述金納米顆粒的形狀為棒狀、球狀、環狀、星型結構、鉗形結構。
4.根據權利要求1所述的近紅外表面等離激元近場增強型高遷移率晶體管探測器，其特征在于：所述InGaN漸變層的In組分由0逐漸增加為100％，靠近底部GaN緩沖層的區域In組分為0，靠近InN層的部分In組分達到100％，在InN層與頂層GaN的界面處分布二維電子氣。
5.根據權利要求1所述的近紅外表面等離激元近場增強型高遷移率晶體管探測器，其特征在于：所述InGaN漸變層的厚度為500～2500nm，InN層厚度為25nm～150nm。
6.根據權利要求1所述的近紅外表面等離激元近場增強型高遷移率晶體管探測器，其特征在于：所述襯底層為藍寶石、Si或SiC材料。
7.根據權利要求1所述的近紅外表面等離激元近場增強型高遷移率晶體管探測器，其特征在于：所述GaN頂層為勢壘層，厚度為15nm～100nm。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
