[發明專利]顯示基板及顯示裝置在審
| 申請號: | 202210557580.9 | 申請日: | 2022-05-19 |
| 公開(公告)號: | CN114914284A | 公開(公告)日: | 2022-08-16 |
| 發明(設計)人: | 王純陽 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鵬 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板,其特征在于,所述顯示基板包括襯底基板、以及依次疊設在所述襯底基板上的發光結構層、封裝結構層和截止濾光片層,其中,
所述發光結構層包括間隔設置的多個紅色發光元件、綠色發光元件和藍色發光元件;
所述截止濾光片層包括間隔設置的多個第一截止濾光片單元、第二截止濾光片單元和第三截止濾光片單元,所述第一截止濾光片單元與所述紅色發光元件相對應,設置為只能透過紅光;所述第二截止濾光片單元與所述綠色發光元件相對應,設置為只能透過綠光;所述第三截止濾光片單元與所述藍色發光元件相對應,設置為只能透過藍光。
2.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述顯示基板包括發光區域和非發光區域,所述發光區域包括不同顏色發光元件;所述非發光區域包括所述發光區域以外的區域;
所述截止濾光片層還包括第四截止濾光片單元,所述第四截止濾光片單元與所述非發光區域相對應,設置為使光線發生反射。
3.根據權利要求2所述的顯示基板,其特征在于,所述第四截止濾光片單元為疊層結構,所述疊層結構包括疊設的第一疊層、第二疊層和第三疊層,所述第一疊層與所述第三截止濾光片單元同層設置,所述第二疊層與所述第二截止濾光片單元同層設置,所述第三疊層與所述第一截止濾光片單元同層設置。
4.根據權利要求3所述的顯示基板,其特征在于,所述封裝結構層包括依次疊設的第一無機封裝層、有機封裝層和第二無機封裝層,所述有機封裝層在所述襯底基板上的正投影位于所述第一無機封裝層和所述第二無機封裝層在所述襯底基板上的正投影的范圍內;或者,
所述封裝結構層包括依次疊設的第一無機封裝層和有機封裝層,所述有機封裝層在所述襯底基板上的正投影位于所述第一無機封裝層在所述襯底基板上的正投影的范圍內。
5.根據權利要求3所述的顯示基板,其特征在于,所述封裝結構層包括第一無機封裝層,在所述第一無機封裝層和所述截止濾光片層之間設置有平坦層;所述第四截止濾光片單元的疊層結構包括:所述第一截止濾光片單元、所述第二截止濾光片單元、所述第三截止濾光片單元以及設置在相鄰截止濾光片單元之間的分隔層。
6.根據權利要求3所述的顯示基板,其特征在于,所述截止濾光片層的材料為無機材料,所述無機材料包括:二氧化硅和氮化硅。
7.根據權利要求6所述的顯示基板,其特征在于,所述第一截止濾光片單元包括疊設的第一膜層、第二膜層和第三膜層,其中,
所述第一膜層包括九層第一子層的依次堆疊,所述第一子層為單位光學厚度的氮化硅與0.5倍光學厚度的二氧化硅的堆疊;
所述第二膜層包括九層第二子層的依次堆疊,所述第二子層為0.3倍光學厚度的二氧化硅、單位光學厚度的氮化硅與0.5倍光學厚度的二氧化硅的依次堆疊;
所述第三膜層包括九層第三子層的依次堆疊,所述第三子層為0.6倍光學厚度的二氧化硅、單位光學厚度的氮化硅與0.5倍光學厚度的二氧化硅的依次堆疊。
8.根據權利要求6所述的顯示基板,其特征在于,所述第二截止濾光片單元包括疊設的第四膜層、第五膜層和第六膜層,其中,
所述第四膜層包括九層第四子層的依次堆疊,所述第四子層為0.05倍光學厚度的二氧化硅、單位光學厚度的氮化硅與0.5倍光學厚度的二氧化硅的依次堆疊;
所述第五膜層包括九層第五子層的依次堆疊,所述第五子層為0.9倍光學厚度的二氧化硅、單位光學厚度的氮化硅與0.5倍光學厚度的二氧化硅的依次堆疊;
所述第六膜層包括九層第六子層的依次堆疊,所述第六子層為1.2倍光學厚度的二氧化硅、單位光學厚度的氮化硅與0.5倍光學厚度的二氧化硅的依次堆疊。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





