[發明專利]形成半導體結構的方法

在審

• 申請號: 202210553351.X
• 申請日: 2022-05-20
• 公開（公告）號: CN115763263A
• 公開（公告）日: 2023-03-07
• 發明（設計）人: 周家政;柯忠祁;李資良
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/56;H01L21/768;H01L23/538
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種形成半導體結構的方法，包括：

將第一晶圓接合至第二晶圓；

對所述第一晶圓執行修整工藝，其中，去除所述第一晶圓的邊緣部分，并且在所述修整工藝之后，所述第一晶圓具有從所述第二晶圓的第二側壁橫向凹進的第一側壁；

沉積與所述第一晶圓的側壁接觸的保護層，其中，所述沉積所述保護層包括沉積與所述第一側壁接觸的不含氧材料；

去除與所述第一晶圓重疊的所述保護層的水平部分；以及

在所述第一晶圓上方形成互連結構，其中，所述互連結構電連接至所述第一晶圓中的集成電路器件。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述沉積所述保護層包括：

沉積由所述不含氧材料形成的第一子層；以及

在所述第一子層上沉積第二子層，其中，所述第二子層由與所述不含氧材料不同的材料形成。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述沉積所述第二子層包括沉積含氧材料。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，所述沉積所述第一子層包括沉積氮化硅，并且所述沉積所述第二子層包括沉積氧化硅。

5.根據權利要求2所述的方法，還包括在所述沉積所述第一子層和所述沉積所述第二子層之間，沉積第三子層，其中，在所述沉積所述第三子層期間，工藝氣體從用于沉積所述第一子層的第一工藝氣體逐漸過渡至用于沉積所述第二子層的第二工藝氣體。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，整個所述保護層包括所述不含氧材料。

7.根據權利要求1所述的方法，還包括在形成所述互連結構之后，從所述第一晶圓去除所述第二晶圓。

8.根據權利要求1所述的方法，還包括對所述第一晶圓執行切割工藝以將所述第一晶圓分隔成多個器件管芯。

9.一種形成半導體結構的方法，包括：

在載體晶圓上方接合器件晶圓；

減薄所述器件晶圓的半導體襯底；

修整所述器件晶圓，其中，修整所述器件晶圓的邊緣部分；

在所述器件晶圓和所述載體晶圓上沉積保護層，其中，所述沉積所述保護層包括：

沉積包括第一材料的第一子層；以及

沉積包括與所述第一材料不同的第二材料的第二子層；

露出所述器件晶圓的頂表面；以及

在所述器件晶圓上方形成互連結構，其中，所述互連結構電連接至所述器件晶圓中的集成電路器件。

10.一種形成半導體結構的方法，包括：

在載體晶圓上方接合器件晶圓，其中，所述器件晶圓中的第一介電層接合至所述載體晶圓中的第二介電層；

修整所述器件晶圓，其中，修整所述器件晶圓中的第一半導體襯底的部分，并且暴露所述載體晶圓中的第二襯底的頂表面；

在所述器件晶圓和所述載體晶圓上沉積保護層，其中，使用其中沒有氧的工藝氣體執行所述沉積所述保護層；

從所述器件晶圓和所述載體晶圓去除所述保護層的水平部分；以及

去除所述第二襯底。