[發(fā)明專利]一種體聲波諧振器及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210553350.5
• 申請(qǐng)日: 2022-05-20
• 公開（公告）號(hào): CN114900151A
• 公開（公告）日: 2022-08-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄒楊;蔡耀;詹道棟;王雅馨;龍開祥;孫博文;孫成亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢敏聲新技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H03H9/02
• 分類號(hào): H03H9/02;H03H3/02
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 崔熠

1.一種體聲波諧振器的制備方法，其特征在于，包括：

在晶圓基底上形成壓電薄膜層；

在所述壓電薄膜層上形成下電極，所述下電極在所述晶圓基底上的投影的一側(cè)邊緣與所述壓電薄膜層在所述晶圓基底上的投影的一側(cè)邊緣平齊，所述下電極的投影在所述壓電薄膜層的投影范圍內(nèi)，所述下電極的邊緣通過(guò)連接段連接形成有第一平行翼，所述第一平行翼與所述壓電薄膜層之間具有間隙；

在形成有所述下電極的所述壓電薄膜層上形成支撐件，所述支撐件與所述壓電薄膜層形成有空腔，所述空腔與所述間隙連通；

所述晶圓基底與襯底通過(guò)所述支撐件鍵合并去除所述晶圓基底；

在所述壓電薄膜層上形成上電極，所述上電極在所述襯底上的投影的一側(cè)邊緣與壓電薄膜層在所述襯底上的投影的另一側(cè)邊緣平齊，所述上電極的投影在所述壓電薄膜層的投影范圍內(nèi)，上電極的邊緣通過(guò)連接段連接形成有第二平行翼，所述第二平行翼與所述壓電薄膜層之間具有間隙，所述上電極、所述壓電薄膜層、所述下電極以及所述空腔在所述襯底上的投影具有重疊的有效諧振區(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的體聲波諧振器的制備方法，其特征在于，在所述壓電薄膜層上形成下電極，所述下電極在所述晶圓基底上的投影的一側(cè)邊緣與所述壓電薄膜層在所述晶圓基底上的投影的一側(cè)邊緣平齊，所述下電極的投影在所述壓電薄膜層的投影范圍內(nèi)，所述下電極的邊緣通過(guò)連接段連接形成有第一平行翼，所述第一平行翼與所述壓電薄膜層之間具有間隙之后，所述方法還包括：

在所述下電極上形成下邊界環(huán)，所述下邊界環(huán)覆蓋所述第一平行翼。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的體聲波諧振器的制備方法，其特征在于，在所述壓電薄膜層上形成上電極，所述上電極在所述襯底上的投影的一側(cè)邊緣與壓電薄膜層在所述襯底上的投影的另一側(cè)邊緣平齊，所述上電極的投影在所述壓電薄膜層的投影范圍內(nèi)，上電極的邊緣通過(guò)連接段連接形成有第二平行翼，所述第二平行翼與所述壓電薄膜層之間具有間隙，所述上電極、所述壓電薄膜層、所述下電極以及所述空腔在所述襯底上的投影具有重疊的有效諧振區(qū)域之后，所述方法還包括：

在所述上電極上形成上邊界環(huán)，所述上邊界環(huán)覆蓋所述第二平行翼。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的體聲波諧振器的制備方法，其特征在于，在所述壓電薄膜層上形成下電極，所述下電極在所述晶圓基底上的投影的一側(cè)邊緣與所述壓電薄膜層在所述晶圓基底上的投影的一側(cè)邊緣平齊，所述下電極的投影在所述壓電薄膜層的投影范圍內(nèi)，所述下電極的邊緣通過(guò)連接段連接形成有第一平行翼，所述第一平行翼與所述壓電薄膜層之間具有間隙包括：

在所述壓電薄膜層上形成第一犧牲凸起；

在形成有所述第一犧牲凸起的所述壓電薄膜層上沉積導(dǎo)電材料并圖案化，沉積在所述第一犧牲凸起上表面的導(dǎo)電材料作為第一平行翼，沉積在所述壓電薄膜層上的導(dǎo)電材料作為下電極；

釋放所述第一犧牲凸起以使所述第一平行翼與所述壓電薄膜層之間形成間隙。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的體聲波諧振器的制備方法，其特征在于，所述在形成有所述下電極的所述壓電薄膜層上形成支撐件，所述支撐件與所述壓電薄膜層之間形成有空腔，所述空腔與所述間隙連通包括：

在形成有所述下電極的所述壓電薄膜層上形成犧牲層，所述犧牲層覆蓋所述下邊界環(huán)、所述第一平行翼；

在形成有所述犧牲層的所述壓電薄膜層上形成支撐件；

釋放所述犧牲層和所述第一犧牲凸起形成所述空腔。