[發(fā)明專利]Trench MOS結(jié)構(gòu)及其制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210552715.2
• 申請日: 2022-05-19
• 公開（公告）號: CN114975123A
• 公開（公告）日: 2022-08-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 方合;徐雷軍;王友偉;王維
• 申請（專利權(quán)）人: 捷捷微電(南通)科技有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 杜楊

1.一種Trench MOS結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在提供的襯底一側(cè)形成外延層；

對所述外延層進(jìn)行body注入形成注入?yún)^(qū)，并進(jìn)行退火處理；

在所述外延層中的注入?yún)^(qū)進(jìn)行源極離子注入及退火處理以形成源極；

對所述外延層進(jìn)行刻蝕形成溝槽，所述溝槽位于源極之間；

于所述溝槽內(nèi)生長形成柵氧化層，并在所述溝槽內(nèi)填充多晶硅。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Trench MOS結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述在所述外延層中的注入?yún)^(qū)進(jìn)行源極離子注入及退火處理以形成源極的步驟，包括：

在所述外延層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)形成光刻膠層；

對所述光刻膠層進(jìn)行光刻，以暴露出部分外延層；

基于暴露出的外延層進(jìn)行源極離子注入，并采用1000℃到1200℃的溫度進(jìn)行退火處理以形成源極；

清除殘留的光刻膠層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Trench MOS結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述對所述外延層進(jìn)行刻蝕形成溝槽的步驟，包括：

在所述外延層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)形成硬掩膜層；

對所述硬掩膜層進(jìn)行光刻，以在所述外延層上定義出需形成溝槽的刻蝕區(qū)域；

基于所述刻蝕區(qū)域?qū)λ鐾庋訉舆M(jìn)行刻蝕，以形成溝槽。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的Trench MOS結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述方法還包括：

在所述硬掩膜層和所述多晶硅的上方沉積BPSG。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的Trench MOS結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述方法還包括：

在所述溝槽內(nèi)填充多晶硅后，采用800℃到1000℃的溫度進(jìn)行退火處理；

采用回刻或化學(xué)機(jī)械研磨以使填充的多晶硅與所述硬掩膜層齊平。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Trench MOS結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述溝槽的深度為0.3um至8um。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的Trench MOS結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述硬掩膜層的厚度為2000A至5000A。

8.一種Trench MOS結(jié)構(gòu)，其特征在于，采用權(quán)利要求1-7任意一項(xiàng)所述的制作方法得到，所述Trench MOS結(jié)構(gòu)包括：

襯底；

形成于所述襯底一側(cè)的外延層，所述外延層中具有通過body注入并進(jìn)行退火處理后形成的注入?yún)^(qū)，所述注入?yún)^(qū)內(nèi)具有通過源極離子注入并進(jìn)行退火處理形成的源極；

所述外延層內(nèi)具有通過刻蝕形成的溝槽，所述溝槽位于源極之間；

所述溝槽內(nèi)生長形成有柵氧化層，所述溝槽內(nèi)填充有多晶硅。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的Trench MOS結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述外延層的除所述溝槽之外的表面形成有硬掩膜層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的Trench MOS結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述硬掩膜層和所述多晶硅的上方沉積形成有BPSG。