[發(fā)明專利]低壓差線性穩(wěn)壓電路、芯片以及終端設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210552393.1
• 申請日: 2022-05-20
• 公開（公告）號: CN114840048A
• 公開（公告）日: 2022-08-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 汪濤;呂佩師;高秋英;陳光勝
• 申請（專利權(quán)）人: 上海東軟載波微電子有限公司;青島海爾洗衣機(jī)有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 張英英

1.一種低壓差線性穩(wěn)壓電路，其特征在于，包括：

基準(zhǔn)電壓生成單元，用于生成基準(zhǔn)電壓，并輸出至電壓轉(zhuǎn)換單元；

電壓轉(zhuǎn)換單元，用于根據(jù)所述基準(zhǔn)電壓生成穩(wěn)壓電壓，并選擇性地輸出所述穩(wěn)壓電壓，所述穩(wěn)壓電壓大于等于所述基準(zhǔn)電壓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低壓差線性穩(wěn)壓電路，其特征在于，所述電壓轉(zhuǎn)換單元包括：

阻抗子單元，所述阻抗子單元的第一端接入所述基準(zhǔn)電壓；

開關(guān)子單元，所述開關(guān)子單元的第一端耦接所述阻抗子單元的第二端，所述開關(guān)子單元的第二端輸出所述穩(wěn)壓電壓。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低壓差線性穩(wěn)壓電路，其特征在于，所述阻抗子單元為可變電阻。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低壓差線性穩(wěn)壓電路，其特征在于，所述開關(guān)子單元包括MOS管或單刀單擲開關(guān)，所述MOS管的柵極接入低功耗模式控制信號。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低壓差線性穩(wěn)壓電路，其特征在于，在低功耗模式控制信號的控制下，所述電壓轉(zhuǎn)換單元輸出所述穩(wěn)壓電壓。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低壓差線性穩(wěn)壓電路，其特征在于，所述基準(zhǔn)電壓為帶隙基準(zhǔn)電壓。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低壓差線性穩(wěn)壓電路，其特征在于，所述基準(zhǔn)電壓生成單元包括第一三極管、第二三極管和第一電阻；

所述第一三極管的集電極和所述第二三極管的集電極接地，所述第二三極管的發(fā)射極耦接所述第一電阻的第一端，所述第一三極管的發(fā)射極電壓與所述第一電阻的第二端電壓相同，所述第二三極管的集電極面積與所述第一三極管集電極面積的倍數(shù)為N，N為正數(shù)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的低壓差線性穩(wěn)壓電路，其特征在于，所述穩(wěn)壓電壓計算公式如下：

VLDO＝VBG+I_R1×(n×R)，其中，VLDO表示所述穩(wěn)壓電壓，VBG表示所述基準(zhǔn)電壓，n表示電流系數(shù)，R表示阻抗子單元的電阻值，I_R1表示經(jīng)過所述第一電阻的電流值，V_T表示熱電壓，R1表示所述第一電阻的電阻值。

9.一種芯片，其特征在于，包括權(quán)利要求1至8任一項所述的低壓差線性穩(wěn)壓電路。

10.一種終端設(shè)備，其特征在于，包括權(quán)利要求1至8任一項所述的低壓差線性穩(wěn)壓電路。