[發明專利]一種低反向導通壓降的SiC MOSFET器件在審
| 申請號： | 202210552207.4 | 申請日： | 2022-05-20 |
| 公開（公告）號： | CN115377070A | 公開（公告）日： | 2022-11-22 |
| 發明（設計）人： | 易波;李歡;石文坤;向勇;周嶸;孟繁新;楊占民;李歆瑋 | 申請（專利權）人： | 中國振華集團永光電子有限公司（國營第八七三廠）;中國振華電子集團有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/58 | 分類號： | H01L23/58;H01L29/78 |
| 代理公司： | 貴州派騰知識產權代理有限公司 52114 | 代理人： | 汪勁松 |
| 地址： | 550018 貴州省*** | 國省代碼： | 貴州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 向導 通壓降 sic mosfet 器件 | ||
1.一種低反向導通壓降的SiC MOSFET器件，其元胞特征在于：元胞包括N型耐壓層(1)、與N型耐壓層(1)的背面接觸的N型緩沖(2)、與N型緩沖(2)的背面接觸的襯底(3)、與襯底(3)的背面接觸的漏極金屬層(4)，所述N型耐壓層(1)的正面與基區(7)接觸；所述元胞的正面還加工有n個深槽將基區(7)分割，在元胞邊緣的基區(7)上端設置有第一摻雜區(8)，在相鄰深槽之間的基區(7)上設置有第一摻雜區(8)和第二摻雜區(9)，深槽的下端設置有屏蔽區(5)，深槽內填充有多晶硅柵(11)或源極金屬，所述多晶硅柵(11)和深槽之間設置有柵介質層(10),柵介質層(10)底部設置有屏蔽區(5)，所述屏蔽區(5)通過柵介質層(10)側面的連通區(6)與源極金屬層(13)電氣連接，所述深槽內的源極金屬與源極金屬層(13)接觸。
2.如權利要求1所述的低反向導通壓降的SiC MOSFET器件，其特征在于：所述多晶硅柵(11)上端覆蓋有鈍化層(12)。
3.如權利要求1所述的低反向導通壓降的SiC MOSFET器件，其特征在于：所述n個深槽的數量大于2。
4.如權利要求3所述的低反向導通壓降的SiC MOSFET器件，其特征在于：以元胞任一邊緣的第一個深槽為第1深槽，則1至第n-1個深槽中填充有多晶硅柵(11)，第n個深槽內填充有源極金屬。
5.如權利要求1所述的低反向導通壓降的SiC MOSFET器件，其特征在于：所述襯底(3)、第二摻雜區(9)為N型重摻雜半導體；所述第一摻雜區(8)為P型重摻雜半導體。
6.如權利要求1所述的低反向導通壓降的SiC MOSFET器件，其特征在于：所述第一摻雜區(8)和基區(7)的一端與連通區(6) 接觸，相鄰第一摻雜區(8)和第二摻雜區(9)之間接觸，第二摻雜區(9)的一端與柵介質層(10)接觸。
7.如權利要求1所述的低反向導通壓降的SiC MOSFET器件，其特征在于：所述屏蔽區(5)為P型電場屏蔽區。
8.如權利要求1所述的低反向導通壓降的SiC MOSFET器件，其特征在于：所述連通區(6)為P型電場連通區。
9.如權利要求1所述的低反向導通壓降的SiC MOSFET器件，其P型基區(7)下方還設置有摻雜濃度高于耐壓層1的N型電流通路區(14)，所述N型電流通路區(14)的濃度至少為耐壓區(1)的兩倍。
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