[發明專利]雙頻域激光與多波段紅外兼容的智能隱身復合薄膜材料有效
| 申請號: | 202210549211.5 | 申請日: | 2022-05-20 |
| 公開(公告)號: | CN115061230B | 公開(公告)日: | 2023-08-11 |
| 發明(設計)人: | 王龍;汪劉應;劉顧;葛超群;唐修檢;柏林沖;王文豪;許可俊;王偉超;胡靈杰 | 申請(專利權)人: | 中國人民解放軍火箭軍工程大學 |
| 主分類號: | G02B5/08 | 分類號: | G02B5/08;G02B1/115;G02B1/10;G02B1/00 |
| 代理公司: | 濟南光啟專利代理事務所(普通合伙) 37292 | 代理人: | 李曉平 |
| 地址: | 710000 *** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 雙頻 激光 波段 紅外 兼容 智能 隱身 復合 薄膜 材料 | ||
1.一種雙頻域激光與多波段紅外兼容的智能隱身復合薄膜材料,其特征在于,其基本結構為:[AB]kT[AB]k[CD]M[CD]或[CD]M[CD][AB]kT[AB]k,膜層排列系數k代表周期性交替排列的次數,取值為1或2;
介質層T、介質層M的材料獨立地選自過渡金屬氧化物或多晶硅;
介質層A、介質層B、介質層C、介質層D中至少有一層的材料選自鹵化鹽、過渡金屬氧化物或多晶硅,其它層的材料獨立地選自ZnS、ZnSe、PbTe、Al2O3、Te、Ge、SiO2、TiO2或Si3N4;
所述介質層A、介質層B、介質層C、介質層D、介質層T、介質層M的折射率分別為nA、nB、nC、nD、nT、nM,所述介質層A、介質層B、介質層C、介質層D、介質層T、介質層M的厚度分別為dA、dB、dC、dD、dT、dM,具有以下關系:nA×dA≈nB×dB≈nT×dT≈2650?nm,且nc×dc≈nD×dD≈nM×dM≈265nm。
2.根據權利要求1所述的雙頻域激光與多波段紅外兼容的智能隱身復合薄膜材料,其特征在于:所述過渡金屬氧化物選自TiO2、V2O5、MoO3、WO3。
3.根據權利要求1所述的雙頻域激光與多波段紅外兼容的智能隱身復合薄膜材料,其特征在于:所述鹵化鹽選自氯化銀、氯化銅。
4.根據權利要求1所述的雙頻域激光與多波段紅外兼容的智能隱身復合薄膜材料,其特征在于:結構為[AB]kT[AB]k[CD]M[CD],k=2,介質層B、介質層D的材料均為SiO2,SiO2在1.06?μm、10.6?μm兩處的折射率分別為1.45、2.5;介質層A、介質層T的材料均為多晶硅,在室內常溫且無電場作用時,多晶硅在10.6?μm處的折射率為3.42;介質層C、介質層M的材料均為WO3,在室內常溫且無電場作用時,WO3在1.06?μm處的折射率為1.95;
介質層A的厚度為775?nm;介質層B的厚度為1060?nm;介質層T的厚度為775?nm;介質層C的厚度為136?nm;介質層D的厚度為183?nm;介質層M的厚度為136?nm。
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