[發明專利]利用F-P干涉效應的激光與紅外兼容隱身膜系結構

在審

• 申請號: 202210549199.8
• 申請日: 2022-05-20
• 公開（公告）號: CN115453673A
• 公開（公告）日: 2022-12-09
• 發明（設計）人: 王龍;汪劉應;劉顧;葛超群;唐修檢;許可俊;王文豪;王偉超;胡靈杰
• 申請（專利權）人: 中國人民解放軍火箭軍工程大學
• 主分類號: G02B5/08
• 分類號: G02B5/08;G02B1/00;G02B1/10;G02B1/115
• 代理公司: 濟南光啟專利代理事務所(普通合伙) 37292
• 代理人: 李曉平

1.一種利用F-P干涉效應的激光與紅外兼容隱身膜系結構，其特征在于：其基本結構為[AB]ⁱT^j[AB]ⁱ[M₁DM₂]，其中i、j為介質膜層的排列周期數，i取值為1或2；j取值為0或1；

所述介質層A、介質層B、介質層T的材料獨立地選自ZnS、ZnO、ZnSe、Al₂O₃、SiO₂、TiO₂；

所述M₁DM₂為金屬-電介質-金屬膜系結構，金屬層M₁、金屬層M₂的材料獨立地選自Ag、Au、Al；電介質層D的材料選自ZnS、ZnO、ZnSe、Al₂O₃、SiO₂、TiO₂；

介質層A、介質層B、介質層T、電介質層D在10.6 μm處的折射率分別為n_A、n_B、n_T、n_D，介質層A、介質層B、介質層T、電介質層D的厚度分別為d_A、d_B、d_T、d_D，具有以下關系：n_A×d_A≈n_B×d_B≈n_T×d_T≈n_D×d_D≈(2650±Δ)/k nm，式中，k的取值為1或2，Δ為誤差糾正補償量，且0≤Δ≤150；金屬層M₁、金屬層M₂的厚度均為5～25 nm。

2.根據權利要求1所述的利用F-P干涉效應的激光與紅外兼容隱身膜系結構，其特征在于：i=1，且j=1；介質層A、介質層T的材料均為硒化鋅，在10.6 μm處的折射率為2.4；介質層B、電介質層D的材料均為二氧化鈦，在10.6 μm處的折射率為1.18；介質層A、介質層T的厚度均為532 nm；介質層B、電介質層D的厚度均為2161 nm；金屬層M₁、金屬層M₂均為Ag薄膜，厚度分別為10 nm、20 nm。

3.根據權利要求1所述的利用F-P干涉效應的激光與紅外兼容隱身膜系結構，其特征在于：i=1，且j=0；介質層A的材料為硫化鋅，在10.6 μm處的折射率為2.19；介質層B、電介質層D的材料均為二氧化鈦，在10.6 μm處的折射率為1.18；介質層A的厚度均為1210 nm；介質層B、電介質層D的厚度均為2246 nm；金屬層M₁、金屬層M₂均為Au薄膜，厚度分別為5 nm、15 nm。

4.根據權利要求1所述的利用F-P干涉效應的激光與紅外兼容隱身膜系結構，其特征在于：i=2，且j=0；介質層A的材料為硒化鋅，在10.6 μm處的折射率為2.4；介質層B、電介質層D的材料均為二氧化硅，在10.6 μm處的折射率為2.07；介質層A的厚度為1104 nm；介質層B、電介質層D的厚度均為1280 nm；金屬層M₁、金屬層M₂均為Ag薄膜，厚度分別為5 nm、25 nm。

5.權利要求1～4中任一項所述的利用F-P干涉效應的激光與紅外兼容隱身膜系結構在作為或制備紅外與激光兼容隱身材料中的應用。

6.根據權利要求5所述的應用，其特征在于：具體應用時，在基底表面采用原子層沉積、磁控濺射和/或蒸發鍍逐層涂覆各介質層和金屬層。