[發明專利]具有階梯式接觸配置的三維電路結構及存儲器電路結構

在審

• 申請號: 202210548338.5
• 申請日: 2022-05-19
• 公開（公告）號: CN115985884A
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發明（設計）人: 吳孟晏;葉騰豪
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L23/522;G11C16/04;H10B41/27;H10B43/27
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周天宇

1.一種電路結構，包括：

導體的第一堆疊，具有操作區和接觸區，所述第一堆疊的導體在所述接觸區中具有階梯式布置，以在所述導體上提供相應的搭接區域；

導體的第二堆疊，與所述第一堆疊分離，所述第二堆疊具有操作區和與所述第一堆疊的所述接觸區鄰近的接觸區；以及

連接電路，將所述第一堆疊中的導電層的所述搭接區域連接至位于所述第二堆疊的所述接觸區中的通孔中的貫穿堆疊導體，所述貫穿堆疊導體連接至位于所述第一堆疊與所述第二堆疊下方的電路系統。

2.根據權利要求1所述的電路結構，包括：

垂直柱的第一陣列和垂直柱的第二陣列，所述第一陣列穿過所述第一堆疊的所述操作區，所述第二陣列穿過所述第二堆疊的所述操作區，且其中所述連接電路包括：

多個層間連接件，位于所述第一堆疊的所述接觸區中，所述多個層間連接件中的層間連接件接觸所述第一堆疊中的導體上的相應的所述搭接區域，且延伸至位于所述第一堆疊和所述第二堆疊之上的圖案化導體；以及

所述圖案化導體包括自位于所述第一堆疊的所述接觸區中的所述多個層間連接件中的層間連接件至位于所述第二堆疊的所述接觸區中的所述貫穿堆疊導體的聯結件。

3.根據權利要求1所述的電路結構，包括多個結構柱，所述多個結構柱位于所述第一堆疊的所述接觸區中。

4.根據權利要求3所述的電路結構，其中所述多個結構柱中的結構柱設置于具有第一布局面積的通孔中，且所述貫穿堆疊導體設置于具有第二布局面積的通孔中，所述第二布局面積大于所述第一布局面積。

5.根據權利要求1所述的電路結構，包括兩個結構柱，所述兩個結構柱位于在所述第一堆疊中的特定導體的所述搭接區域中穿過所述第一堆疊的相應通孔中。

6.一種電路結構，包括：

導體的第一堆疊，具有操作區和接觸區，所述第一堆疊的導體在所述接觸區中具有階梯式布置，以在所述導體上提供相應的搭接區域；

導體的第二堆疊，與所述第一堆疊分離，所述第二堆疊具有操作區和與所述第一堆疊的所述接觸區鄰近的接觸區；

垂直柱的第一陣列和垂直柱的第二陣列，所述第一陣列穿過所述第一堆疊的所述操作區，所述第二陣列穿過所述第二堆疊的所述操作區，所述第一陣列和所述第二陣列中的垂直柱包括位于具有第一布局面積的第一通孔中的存儲器結構；

多個層間連接件，位于所述第一堆疊的所述接觸區中，所述多個層間連接件中的層間連接件接觸所述第一堆疊中的導體上的相應的所述搭接區域，且延伸至位于所述第一堆疊和所述第二堆疊之上的圖案化導體；

多個貫穿堆疊導體，位于所述第二堆疊的所述接觸區中，所述貫穿堆疊導體自位于所述第一堆疊和所述第二堆疊之上的所述圖案化導體延伸至位于所述第二堆疊下面的電路；以及

所述圖案化導體包括自位于所述第一堆疊的所述接觸區中的所述多個層間連接件中的層間連接件至位于所述第二堆疊的所述接觸區中的所述多個貫穿堆疊導體中的貫穿堆疊導體的聯結件。

7.根據權利要求6所述的電路結構，包括多個結構柱，所述多個結構柱在所述第一堆疊的所述接觸區中設置于具有所述第一布局面積的第二通孔中。

8.根據權利要求6所述的電路結構，其中所述多個貫穿堆疊導體中的貫穿堆疊導體設置于具有第二布局面積的第三通孔中，所述第二布局面積大于所述第一布局面積。