[發明專利]一種用于流動控制的等離子體合成射流渦流發生裝置

在審

• 申請號: 202210541215.9
• 申請日: 2022-05-17
• 公開（公告）號: CN114856814A
• 公開（公告）日: 2022-08-05
• 發明（設計）人: 劉永葆;賈宇豪;蒙澤威;賀星;陳陽
• 申請（專利權）人: 中國人民解放軍海軍工程大學
• 主分類號: F02C3/32
• 分類號: F02C3/32;F02C7/00;F02C7/04
• 代理公司: 北京盛詢知識產權代理有限公司 11901
• 代理人: 馬文巧

1.一種用于流動控制的等離子體合成射流渦流發生裝置，其特征在于：包括本體，所述本體安裝于進氣道內部，所述本體包括發生器，所述發生器設有三角形斜坡，所述三角形斜坡上設有射流孔(1)，所述發生器內設有射流激勵器，所述射流激勵器與所述射流孔(1)連通，所述射流激勵器內安裝有電源機構。

2.根據權利要求1所述的用于流動控制的等離子體合成射流渦流發生裝置，其特征在于：所述發生器為渦流發生器(2)。

3.根據權利要求2所述的用于流動控制的等離子體合成射流渦流發生裝置，其特征在于：所述射流激勵器為等離子體合成射流激勵器(3)，所述等離子體合成射流激勵器(3)內中空且安裝有所述電源機構。

4.根據權利要求3所述的用于流動控制的等離子體合成射流渦流發生裝置，其特征在于：所述渦流發生器(2)內固接有臺型底座(4)，所述等離子體合成射流激勵器(3)固接在所述臺型底座(4)上，所述電源機構包括分別固接在所述臺型底座(4)頂面的高壓電極(5)和低壓電極(6)，所述高壓電極(5)和低壓電極(6)的頂部位于所述等離子體合成射流激勵器(3)內，所述高壓電極(5)和所述低壓電極(6)的底部伸出至所述渦流發生器(2)的底部。

5.根據權利要求4所述的用于流動控制的等離子體合成射流渦流發生裝置，其特征在于：所述高壓電極(5)和所述低壓電極(6)之間存在間隙。

6.根據權利要求5所述的用于流動控制的等離子體合成射流渦流發生裝置，其特征在于：所述渦流發生器(2)和所述臺型底座(4)的材料為陶瓷。

7.根據權利要求1所述的用于流動控制的等離子體合成射流渦流發生裝置，其特征在于：所述射流孔(1)的長度為5-8mm，寬度為0.8-2mm，厚度為0.7-2mm。

8.根據權利要求2所述的用于流動控制的等離子體合成射流渦流發生裝置，其特征在于：所述渦流發生器(2)的底面三角形腰長為20-30mm，底邊長為10-20mm，所述渦流發生器(2)垂直方向上的高度為10-20mm。