[發明專利]基于激光退火的晶圓分區RS量測方法、終端和存儲介質

在審

• 申請號: 202210540380.2
• 申請日: 2022-05-17
• 公開（公告）號: CN114999950A
• 公開（公告）日: 2022-09-02
• 發明（設計）人: 劉慶鋒;王誠;李家超
• 申請（專利權）人: 上海先進半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/265;H01L21/268
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種基于激光退火的晶圓分區RS量測方法，其特征在于，包括以下步驟：

將晶圓控片以圓心為原點建立X-Y直角坐標系，包括將所述晶圓控片沿X正方向與Y正方向劃分為第一象限、沿X負方向與Y正方向劃分為第二象限，沿X負方向與Y負方向劃分為第三象限，沿X正方向與Y負方向劃分為第四象限，且根據象限劃分將所述晶圓控片劃分為至少2個區域，獲取晶圓控片分區；

基于激光退火機提供的矩形光斑對各個所述晶圓控片分區分別進行不同的激光退火工藝，完成對各個所述晶圓控片分區的局部激光退火；

對各個所述晶圓控片分區分別進行RS量測，獲取與各個所述晶圓控片分區相對應的RS數據。

2.根據權利要求1所述的基于激光退火的晶圓分區RS量測方法，其特征在于：獲取所述晶圓控片分區時，根據象限劃分將所述晶圓控片劃分為等分區域，包括將所述晶圓控片劃分為具有2個相鄰象限的2等分的晶圓控片分區，或將所述晶圓控片劃分為與各個象限對應的4等分的晶圓控片分區。

3.根據權利要求1所述的基于激光退火的晶圓分區RS量測方法，其特征在于：獲取所述晶圓控片分區時，根據象限劃分將所述晶圓控片劃分為分別具有1個象限及3個象限的非等分的晶圓控片分區。

4.根據權利要求1所述的基于激光退火的晶圓分區RS量測方法，其特征在于：所述晶圓控片為分區域完成離子注入的晶圓控片，且所述離子注入工藝的區域劃分與所述激光退火工藝的區域劃分一一對應。

5.根據權利要求4所述的基于激光退火的晶圓分區RS量測方法，其特征在于：所述離子注入工藝中，注入的離子包括Ⅲ族離子或Ⅴ族離子。

6.根據權利要求1所述的基于激光退火的晶圓分區RS量測方法，其特征在于：所述激光退火機包括355nm脈沖固體激光器或532nm脈沖固體激光器。

7.根據權利要求1所述的基于激光退火的晶圓分區RS量測方法，其特征在于：各個所述晶圓控片分區分別進行所述RS量測后獲得的所述RS數據的均勻性為0.45％～0.51％。

8.根據權利要求1所述的基于激光退火的晶圓分區RS量測方法，其特征在于：所述晶圓控片的尺寸包括4英寸、6英寸、8英寸或12英寸。

9.一種終端設備，其特征在于：其用于執行如權利要求1-8中任意一項所述基于激光退火的晶圓分區RS量測方法。

10.一種計算機可讀存儲介質，其特征在于：所述計算機可讀存儲介質存儲有計算機指令，所述計算機指令用于使計算機執行如權利要求1-8中任意一項所述基于激光退火的晶圓分區RS量測方法。