[發(fā)明專利]一種MFS儲存結(jié)構(gòu)及其制備方法與應(yīng)用

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210538285.9
• 申請日: 2022-05-18
• 公開（公告）號: CN115020425A
• 公開（公告）日: 2022-09-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高武;李星星;張昕;劉禮祥;張志偉
• 申請（專利權(quán)）人: 五邑大學(xué)
• 主分類號: H01L27/11585
• 分類號: H01L27/11585;H01L29/78;H01L21/34
• 代理公司: 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44205
• 代理人: 肖云

1.一種MFS儲存結(jié)構(gòu)，其特征在于：

包括依次層疊設(shè)置的襯底、ZnO低溫緩沖層、ZnO薄膜、Zn_1-xM_xO薄膜和Zn_1-yM_yO鐵電薄膜；

其中，M選自Mg、V、Sb、Y或Gd中的至少一種；

其中，0＜x≤0.4，0.3≤y≤0.6。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MFS儲存結(jié)構(gòu)，其特征在于：0.3≤y≤0.37。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MFS儲存結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述Zn_1-xM_xO薄膜厚度為30～60nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MFS儲存結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述Zn_1-yM_yO鐵電薄膜厚度為100～400nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MFS儲存結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述襯底包括藍(lán)寶石、云母和石英襯底中的至少一種。

6.一種制備如權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的一種MFS儲存結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于：包括以下步驟：

在襯底上依次生長ZnO低溫緩沖層、ZnO薄膜、Zn_1-xM_xO薄膜和Zn_1-yM_yO鐵電薄膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于：所述生長所用工藝選自MBE、PLD和MOCVD中的至少一種。

8.如權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的一種MFS儲存結(jié)構(gòu)在場效應(yīng)晶體管中的應(yīng)用。

9.如權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的一種MFS儲存結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體儲存器中的應(yīng)用。