[發明專利]膜、元件和設備

在審

• 申請號: 202210534600.0
• 申請日: 2022-05-17
• 公開（公告）號: CN115390165A
• 公開（公告）日: 2022-11-25
• 發明（設計）人: 阿部達毅;石川恭兵;星野和弘;知花貴史;小林廣明
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: G02B1/00
• 分類號: G02B1/00;G02B1/115
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 王海寧

1.一種膜，其包含：

作為主要成分的非晶態過渡金屬氧化物；和

1.0at％以上的氫，

其中所述膜為光學膜。

2.一種膜，其包含：

作為主要成分的非晶態過渡金屬氧化物；和

1.0at％以上的氫，

其中所述膜的過渡金屬含量、氧含量、氫含量和氬含量的總和為99.0at％以上。

3.根據權利要求1所述的膜，其中所述膜的氫含量低于所述膜的過渡金屬含量和所述膜的氧含量，并且高于所述膜的氬含量。

4.根據權利要求2所述的膜，其中所述膜的氫含量等于或小于所述膜的過渡金屬含量的一半。

5.根據權利要求1所述的膜，其中所述過渡金屬氧化物是第3至6族中任一族的過渡金屬的氧化物。

6.根據權利要求2所述的膜，其中所述過渡金屬氧化物是第4族或第5族過渡金屬的氧化物。

7.根據權利要求1所述的膜，其中所述過渡金屬氧化物是氧化鉿。

8.根據權利要求7所述的膜，其中所述膜的氫含量為16.0at％以下。

9.根據權利要求7所述的膜，其中所述膜的氫含量為6.0at％以上。

10.根據權利要求7所述的膜，其中所述膜的鋯含量為0.05at％以上且0.5at％以下。

11.根據權利要求7所述的膜，其中所述膜對280nm波長的光的折射率為2.15以上，并且所述膜對280nm波長的光的吸收率為0.2％以下。

12.根據權利要求1所述的膜，其中所述過渡金屬氧化物是氧化鉭。

13.根據權利要求12所述的膜，其中所述膜的氫含量小于10.0at％。

14.根據權利要求12所述的膜，其中所述膜的氫含量為3.0at％以上。

15.根據權利要求12所述的膜，其中所述膜對313nm波長的光的吸收率為0.40％以下，并且所述膜對為313nm波長的光的折射率為2.40以上。

16.根據權利要求1所述的膜，其中所述過渡金屬氧化物為氧化鋯或氧化鈦。

17.根據權利要求1至16中任一項所述的膜，其中所述膜的氬含量為0.5at％以上且5.0at％以下。

18.根據權利要求1至16中任一項所述的膜，其中所述膜的硅含量、碳含量和氮含量均小于0.5at％。

19.根據權利要求1至16中任一項所述的膜，其中所述膜的厚度為10nm以上且1000nm以下。

20.一種元件，該元件是光學元件，該元件包含：

基體；和

在基體上形成的光學結構體，

其中所述光學結構體包括根據權利要求1至19任一項所述的膜。

21.根據權利要求20所述的元件，其中所述光學結構體具有以下結構：其中所述膜和折射率低于所述膜的不同膜被交替層疊。

22.根據權利要求20所述的元件，其中所述光學結構體具有減反射結構。

23.根據權利要求20所述的元件，其中所述光學結構體具有反射結構。