[發明專利]一種異質結電池及其制備方法

在審

• 申請號: 202210530719.0
• 申請日: 2022-05-16
• 公開（公告）號: CN114823935A
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發明（設計）人: 毛衛平;趙峰;徐銳;任明沖;張杜超;蔡涔;楊伯川
• 申請（專利權）人: 東方日升新能源股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/0747;H01L31/18;H01L31/20
• 代理公司: 深圳國海智峰知識產權代理事務所(普通合伙) 44489
• 代理人: 劉軍鋒

1.一種異質結電池，其特征在于，包括晶體硅層，晶體硅層正面從內向外依次設置第一本征非晶硅層、N型摻雜非晶硅層、第一透明導電層、第一金屬電極，晶體硅層背面從內向外依次設置第二本征非晶硅層、P型摻雜非晶硅層、第二透明導電層、第二金屬電極，其中：

所述第一透明導電層表面位于所述第一金屬電極下位置處和/或所述第二透明導電層表面位于所述第二金屬電極下位置處形成有局部還原層，所述局部還原層載流子濃度高于第一透明導電層和/或第二透明導電層。

2.根據權利要求1所述的一種異質結電池，其特征在于，所述局部還原層寬度為5-50um。

3.根據權利要求1所述的一種異質結電池，其特征在于，所述晶體硅層為N型摻雜單晶硅、N型摻雜類單晶硅、P型摻雜單晶硅或P型摻雜類單晶硅，其厚度為50-250um。

4.根據權利要求1所述的一種異質結電池，其特征在于，所述第一本征非晶硅層為未摻雜的非晶硅、非晶氧化硅、非晶碳化硅半導體薄膜中的一種或幾種疊合的復合薄膜層，其厚度為2-8nm。

5.根據權利要求1所述的一種異質結電池，其特征在于，所述N型摻雜非晶硅層為N型摻雜的非晶硅、非晶氧化硅、非晶碳化硅、微晶硅、微晶氧化硅、微晶碳化硅半導體薄膜中的一種或幾種疊合的復合薄膜層，其厚度為4-30nm。

6.根據權利要求1所述的一種異質結電池，其特征在于，所述P型摻雜非晶硅層，為P型摻雜的非晶硅、非晶氧化硅、非晶碳化硅、微晶硅、微晶氧化硅、微晶碳化硅半導體薄膜中的一種或幾種疊合的復合薄膜層，其厚度為4-30nm。

7.根據權利要求1所述的一種異質結電池，其特征在于，所述第一透明導電層為摻雜的氧化銦、氧化鋅或氧化錫中的一種或幾種疊合的復合薄膜層，其厚度為70-120nm；所述第二透明導電層為摻雜的氧化銦、氧化鋅或氧化錫中的一種或幾種疊合的復合薄膜層，其厚度為70-120nm。

8.根據權利要求7所述的一種異質結電池，其特征在于，所述第一透明導電層和所述第二透明導電層均為ITO透明導電薄膜，且其中銦元素的質量百分比為90％，錫元素的質量百分比為10％。

9.根據權利要求1所述的一種異質結電池，其特征在于，所述第一金屬電極為含Ag、Cu、Al、Ni中的一種或幾種復合構成的低溫金屬漿料電極，其厚度為10-50um，寬度為5-50um；

和/或所述第二金屬電極為含Ag、Cu、Al、Ni中的一種或幾種復合構成的低溫金屬漿料電極，其厚度為10-50um，寬度為5-50um。

10.一種如權利要求1-9任一項所述異質結電池的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一，提供晶體硅層；

步驟二，制絨清洗；

步驟三，在步驟二中晶體硅層正面依次沉積第一本征非晶硅和N型摻雜非晶硅層；在晶體硅層背面依次沉積第二本征非晶硅和P型摻雜非晶硅層；

步驟四，在步驟三中N型摻雜非晶硅層上沉積第一透明導電層，P型摻雜非晶硅層上沉積第二透明導電層；

步驟五，在第一透明導電層和/或第二透明導電層表面放置掩膜板，采用氫等離子處理對透明導電層進行局部清潔與還原，獲得局部載流子濃度相對增大的局部還原區，所述局部還原區寬度在5-50um；

步驟六，在第一透明導電層上利用絲網印刷形成第一金屬電極；在第二透明導電層上利用絲網印刷形成第二金屬電極；且第一金屬電極和第二金屬電極的金屬電極圖型與所述掩膜版開口圖型與一致，所述第一金屬電極和/或所述第二金屬電極位于所述局部還原區正上方位置。