[發(fā)明專(zhuān)利]一種寬輸入范圍的電流除法器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210526864.1 | 申請(qǐng)日: | 2022-05-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN115016580B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-02-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 樊華;徐凱;常偉鵬;刁小芃;馮浪;趙攀峰;馮全源 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 電子科技大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | G05F1/56 | 分類(lèi)號(hào): | G05F1/56 |
| 代理公司: | 電子科技大學(xué)專(zhuān)利中心 51203 | 代理人: | 陳一鑫 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 輸入 范圍 電流 法器 | ||
該發(fā)明公開(kāi)了一種寬輸入范圍電流除法器,涉及集成電路領(lǐng)域。該除法器電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,僅需要三個(gè)MOS器件,減小了芯片設(shè)計(jì)面積,此外,電路可以在較低的電源電壓下工作,整個(gè)除法器電路功耗較小;并且通過(guò)利用MOS管體電壓與漏源電流的線性關(guān)系,將輸入電流等效轉(zhuǎn)化的電壓輸入到MOS管的體端,該MOS管產(chǎn)生的電流用于除法運(yùn)算,從而將輸入電流范圍按比例縮小,可以在較寬的輸入電流范圍實(shí)現(xiàn)兩個(gè)輸入電流相除的功能。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域,具體涉及一種寬輸入范圍的電流除法器。
背景技術(shù)
除法器是COMS信號(hào)處理電路的基本功能模塊,例如模擬計(jì)算、模糊邏輯和通信系統(tǒng)等。隨著電子設(shè)備逐漸小型化,對(duì)電路結(jié)構(gòu)的要求也逐漸趨于簡(jiǎn)單化;同時(shí)任何電路的輸入信號(hào)范圍是一項(xiàng)重要的指標(biāo),較寬的范圍可以讓電路適用于更多的應(yīng)用場(chǎng)合。
如圖1所示為現(xiàn)有文獻(xiàn)1[Low-voltage,low power,low area,CMOS current-modedivider circuit]實(shí)現(xiàn)的一種電流除法器電路結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)利用圖1中MOS管MA工作在線性區(qū)時(shí)漏源電流ID1與漏源電壓VDS1成正比,與柵源電壓VGS1和閾值電壓VT1的差值成反比的特點(diǎn): ID1=I1=β1(VGS1-VT1)·VDS1,式中β1為MOS管工藝參數(shù),通過(guò)MB和R1將與ID成反比的項(xiàng)等效為一個(gè)電壓項(xiàng)VX:I1=β1·VX·VDS1,將VX轉(zhuǎn)換為輸入電流I3的公式,得到: VDS1=(1/β1·VX)·(I1/I3),實(shí)現(xiàn)電流I1和電流I3相除的功能,該結(jié)構(gòu)只需四個(gè)MOS管,具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、供電電壓要求低、功耗低等優(yōu)勢(shì)。但是由于電路結(jié)構(gòu)的問(wèn)題,當(dāng)I3不斷增大到某個(gè)值后,NMOS管MA會(huì)進(jìn)入飽和區(qū),進(jìn)而使I3/I1不再是線性變化的關(guān)系,此時(shí)電路不具備除法的功能,所以輸入電流I3的范圍受到限制。
圖2所示為文獻(xiàn)2[Low-power high-speed analog multiplier/divider basedon a new current squarer circuit]中提出的電流除法器結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)基于平方差分方法,利用MOS管工作在弱反型時(shí)柵源電壓和漏源電流成指數(shù)關(guān)系的特性實(shí)現(xiàn)四象限乘法器和除法器的功能,即 (X+Y)2-(X-Y)2=4XY;使用兩個(gè)新的電流平方單元,電路左半部分實(shí)現(xiàn)(IX+IY)2,右半部分實(shí)現(xiàn)(IX-IY)2,從而得到IO1=2IB+(IX+IY)2/4IB,IO2=2IB+(IX-IY)2/4IB,進(jìn)而得到 IOUT=IO1-IO2=(IX·IY)/IB。具有低功耗、低供電電壓和低非線性等優(yōu)勢(shì),弱反型意味著電路中MOS管的電流較小,通常在幾十到幾百納安之間,因此會(huì)限制輸入電流的范圍,需要12 個(gè)MOS晶體管。
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