[發(fā)明專利]陣列基板及其制造方法和顯示面板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210526234.4 | 申請日: | 2022-05-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN114864604A | 公開(公告)日: | 2022-08-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鮮濟(jì)遙;袁海江 | 申請(專利權(quán))人: | 重慶惠科金渝光電科技有限公司;惠科股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/12 | 分類號(hào): | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1368;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 深圳中一聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414 | 代理人: | 謝蓓 |
| 地址: | 404100 *** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陣列 及其 制造 方法 顯示 面板 | ||
1.一種陣列基板,包括襯底基板,所述襯底基板包括相對設(shè)置的第一表面和第二表面,其特征在于,
所述襯底基板上設(shè)有多個(gè)貫穿所述第一表面和所述第二表面的通孔;
所述陣列基板還包括:
顯示線路,設(shè)于所述第一表面上,所述顯示線路包括與驅(qū)動(dòng)電路連接的信號(hào)線以及與所述信號(hào)線連接的薄膜晶體管;所述信號(hào)線具有靠近所述驅(qū)動(dòng)電路的近端和遠(yuǎn)離所述驅(qū)動(dòng)電路的遠(yuǎn)端;
輔助線路,設(shè)于所述第二表面上且連接于所述驅(qū)動(dòng)電路,所述輔助線路的阻抗小于所述信號(hào)線的阻抗,所述輔助線路還通過所述通孔連接設(shè)于所述信號(hào)線的遠(yuǎn)端的至少一個(gè)薄膜晶體管。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于:
所述驅(qū)動(dòng)電路包括柵驅(qū)動(dòng)單元和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元,所述信號(hào)線包括連接所述柵驅(qū)動(dòng)單元且沿行方向延伸的掃描線和連接所述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元且沿列方向延伸的數(shù)據(jù)線;設(shè)于所述掃描線遠(yuǎn)端的至少一個(gè)薄膜晶體管為第一遠(yuǎn)端薄膜晶體管,設(shè)于所述信號(hào)線遠(yuǎn)端的至少一個(gè)薄膜晶體管為第二遠(yuǎn)端薄膜晶體管;
所述輔助線路包括多條背面掃描線和多條背面數(shù)據(jù)線,每條所述背面掃描線連接所述柵驅(qū)動(dòng)單元和一行的至少一個(gè)所述第一遠(yuǎn)端薄膜晶體管,每條所述背面數(shù)據(jù)線連接所述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元和一列的至少一個(gè)所述第二遠(yuǎn)端薄膜晶體管。
3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板,其特征在于:所述顯示線路包括至少兩個(gè)分區(qū),每個(gè)分區(qū)內(nèi)的所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線獨(dú)立連接于所述驅(qū)動(dòng)電路,每個(gè)所述分區(qū)內(nèi)均設(shè)有至少一列所述第一遠(yuǎn)端薄膜晶體管,以及至少一行所述第二遠(yuǎn)端薄膜晶體管。
4.如權(quán)利要求2或3所述的陣列基板,其特征在于:
所述薄膜晶體管包括設(shè)于所述第一表面上的柵極、設(shè)于所述柵極上的主動(dòng)層、及設(shè)于所述主動(dòng)層上的源極和漏極;所述第二遠(yuǎn)端薄膜晶體管還包括設(shè)于所述第一表面且與所述源極電連接的信號(hào)墊;
所述襯底基板上的多個(gè)通孔包括第一通孔和第二通孔,所述第一通孔暴露所述第一遠(yuǎn)端薄膜晶體管的柵極,所述第二通孔暴露所述信號(hào)墊;
所述背面掃描線通過所述第一通孔連接所述遠(yuǎn)端薄膜晶體管的柵極,所述背面數(shù)據(jù)線通過所述第二通孔連接所述遠(yuǎn)端薄膜晶體管的信號(hào)墊。
5.如權(quán)利要求4所述的陣列基板,其特征在于:所述陣列基板還包括設(shè)于所述背面掃描線和所述背面數(shù)據(jù)線之間的第一保護(hù)層,所述第一保護(hù)層上開設(shè)有與所述第二通孔對應(yīng)且連通的過孔。
6.如權(quán)利要求2或3所述的陣列基板,其特征在于:所述背面掃描線和所述背面數(shù)據(jù)線均為透明導(dǎo)電薄膜材質(zhì),所述背面掃描線的線寬大于所述掃描線的線寬,且所述背面數(shù)據(jù)線的線寬大于所述信號(hào)線的線寬。
7.如權(quán)利要求6所述的陣列基板,其特征在于:所述背面掃描線和所述背面數(shù)據(jù)線的厚度范圍為所述背面掃描線和所述背面數(shù)據(jù)線的線寬大于30μm~50μm。
8.一種陣列基板的制造方法,其特征在于,包括:
提供襯底基板,所述襯底基板包括相對設(shè)置的第一表面和第二表面;
在所述第一表面上制作顯示線路,所述顯示線路包括信號(hào)線和與所述信號(hào)線連接的薄膜晶體管;所述信號(hào)線具有靠近驅(qū)動(dòng)電路的近端和遠(yuǎn)離所述驅(qū)動(dòng)電路的遠(yuǎn)端;
在所述襯底基板上制作多個(gè)貫穿所述第一表面和所述第二表面的通孔,每個(gè)所述通孔與設(shè)于所述信號(hào)線遠(yuǎn)端的一個(gè)所述薄膜晶體管對應(yīng)設(shè)置;
在所述第二表面上制作輔助線路,所述輔助線路的阻抗小于所述信號(hào)線的阻抗,所述輔助線路通過所述通孔連接設(shè)于所述信號(hào)線遠(yuǎn)端的所述薄膜晶體管。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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