[發(fā)明專利]一種改善CVD設(shè)備腔內(nèi)溫度場的裝置及方法

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• 申請日: 2022-05-16
• 公開（公告）號: CN114990528A
• 公開（公告）日: 2022-09-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李其仲;張益軒;吉柏鋒;涂溶;章嵩
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢理工大學(xué)
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/32
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102
• 代理人: 胡琳萍

1.一種改善CVD設(shè)備腔內(nèi)溫度場的裝置，其特征在于：為與反應(yīng)腔內(nèi)輪廓一致的平面噴淋板，在噴淋板上分布若干圈通孔型噴淋孔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善CVD設(shè)備腔內(nèi)溫度場的裝置，其特征在于：噴淋板為圓形。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善CVD設(shè)備腔內(nèi)溫度場的裝置，其特征在于：同一圈上所分布的任一噴淋孔直徑相等。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善CVD設(shè)備腔內(nèi)溫度場的裝置，其特征在于：同一圈上所分布的任一噴淋孔圓心與噴淋板面的中心距離相等。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善CVD設(shè)備腔內(nèi)溫度場的裝置，其特征在于：同一圈上所分布的任一相鄰的兩個噴淋孔與噴淋板面的中心的徑向直線所構(gòu)成的夾角相等。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善CVD設(shè)備腔內(nèi)溫度場的裝置，其特征在于：噴淋板面的圓心或中心處不設(shè)置通孔。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善CVD設(shè)備腔內(nèi)溫度場的裝置，其特征在于：按照最內(nèi)圈噴淋孔到最外圈噴淋孔順序，以最內(nèi)圈噴淋孔圓心與噴淋板面的圓心距離L1為基準(zhǔn)，每相鄰兩圈噴淋孔圓心所構(gòu)成的同心圓半徑差Li呈現(xiàn)以對數(shù)函數(shù)單調(diào)遞增依次增大或保持大小不變的變化趨勢。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善CVD設(shè)備腔內(nèi)溫度場的裝置，其特征在于：按照最內(nèi)圈噴淋孔到最外圈噴淋孔順序，以最內(nèi)圈噴淋孔直徑D1為基準(zhǔn)，每圈噴淋孔直徑Di呈現(xiàn)以對數(shù)函數(shù)單調(diào)遞增依次增大或保持不變的變化趨勢。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善CVD設(shè)備腔內(nèi)溫度場的裝置，其特征在于：噴淋板設(shè)置于CVD設(shè)備腔室頂部，上表面與CVD設(shè)備腔室導(dǎo)氣孔下表面相連使得氣流經(jīng)導(dǎo)氣孔穿過噴淋板進入腔室內(nèi)。

10.一種改善CVD設(shè)備腔內(nèi)溫度場的方法，其特征在于采用上述權(quán)利要求1-9任一項所述的改善CVD設(shè)備腔內(nèi)溫度場的裝置，氣體進入CVD設(shè)備腔室頂部后經(jīng)過噴淋孔阻抗作用，噴淋板對氣流的阻抗作用由中心向四周逐漸減小，因此可使氣流通量從噴淋板中心到邊緣逐漸增大，均勻到達腔內(nèi)樣品臺處。