[發明專利]一種SOI晶圓及制造方法在審
| 申請號： | 202210526183.5 | 申請日： | 2022-05-16 |
| 公開（公告）號： | CN115188703A | 公開（公告）日： | 2022-10-14 |
| 發明（設計）人： | 蔣興教;梁昕;郭晨浩;宋飛;張濤 | 申請（專利權）人： | 紹興中芯集成電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762;H01L21/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 紹興市知衡專利代理事務所(普通合伙) 33277 | 代理人： | 鄧愛民 |
| 地址： | 312000 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 soi 制造 方法 | ||
1.一種SOI晶圓的制造方法，其特征在于，包括：
提供第一硅晶圓和第二硅晶圓；
分別在所述第一硅晶圓的鍵合面和所述第二硅晶圓的鍵合面形成鍵合面氧化層；
分別對所述第一硅晶圓的鍵合面及所述第二硅晶圓的鍵合面進行等離子體注入；
將所述等離子體注入后的所述第一硅晶圓的鍵合面與所述第二硅晶圓的鍵合面鍵合；
所述鍵合后，對所述第一硅晶圓的非鍵合面進行第一次減薄；
所述第一次減薄后，在所述第二硅晶圓的非鍵合面形成介質層。
2.根據權利要求1所述的一種SOI晶圓的制造方法，其特征在于：所述介質層為二氧化硅層。
3.根據權利要求1所述的一種SOI晶圓的制造方法，其特征在于：所述介質層的厚度為16K?～22K?。
4.根據權利要求1所述的一種SOI晶圓的制造方法，其特征在于：所述介質層形成后，對所述第一硅晶圓的非鍵合面進行第二次減薄，所述第二次減薄采用酸性腐蝕液進行減薄。
5.根據權利要求4所述的一種SOI晶圓的制造方法，其特征在于：所述第二次減薄后，對所述第一硅晶圓的非鍵合面進行第三次減薄，所述第三次減薄采用化學機械減薄方式進行減薄。
6.根據權利要求1-5任一項所述的一種SOI晶圓的制造方法，其特征在于：所述第一硅晶圓的非鍵合面和所述第二硅晶圓的非鍵合面各自形成非鍵合面氧化層，所述介質層形成于所述第二硅晶圓的非鍵合面氧化層表面。
7.一種SOI晶圓，其特征在于：包括依次層疊的介質層、第二硅晶圓、第一氧化層、第一硅晶圓，所述SOI晶圓采用如權利要求1所述制造方法制造而成。
8.根據權利要求7所述的SOI晶圓，其特征在于：所述第二硅晶圓與所述介質層之間形成有第二氧化層。
9.根據權利要求8所述的一種SOI晶圓，其特征在于：所述介質層的厚度大于所述第二氧化層的厚度。
10.根據權利要求7所述的一種SOI晶圓，其特征在于：所述介質層為二氧化硅層；所述介質層的厚度為16K?～22K?。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
