[發明專利]NAND閃存的數據寫入方法、裝置、存儲介質及存儲設備

有效

• 申請號: 202210525759.6
• 申請日: 2022-05-16
• 公開（公告）號: CN114822650B
• 公開（公告）日: 2022-11-29
• 發明（設計）人: 劉剛;劉曉健;王嵩
• 申請（專利權）人: 北京得瑞領新科技有限公司
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10;G11C16/04;G11C16/34;G11C8/14;G11C7/18;G11C5/14
• 代理公司: 北京慧智興達知識產權代理有限公司 11615
• 代理人: 李麗穎

1.一種NAND閃存的數據寫入方法，其特征在于，所述方法包括：

判斷目標字線的目標存儲單元的待寫入存儲態是否為NAND閃存的最高存儲態，目標字線為當前待寫入字線；

若目標字線的目標存儲單元的待寫入存儲態為NAND閃存的最高存儲態，則獲取與目標字線相鄰的前一個字線上與目標存儲單元臨近的存儲單元的存儲態，其中，臨近的存儲單元為前一個字線上與目標字線在同一位線對應的存儲單元；

當與目標字線相鄰的前一個字線上與目標存儲單元臨近的存儲單元的存儲態低于預設的存儲態閾值時，采用預設的優化編寫驗證電壓對目標存儲單元進行最高存儲態的寫入，所述優化編寫驗證電壓大于最高存儲態對應的標準編寫驗證電壓；

在判斷目標字線的目標存儲單元的待寫入存儲態是否為NAND閃存的最高存儲態之前，所述方法還包括：

判斷目標字線是否為當前物理塊的起始字線0；

當目標字線為當前物理塊的起始字線0時，采用與待寫入的存儲態對應的標準編寫驗證電壓對目標字線進行數據寫入。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

當目標字線不是當前物理塊的起始字線0時，執行所述判斷目標字線的目標存儲單元的待寫入存儲態是否為NAND閃存的最高存儲態的操作。

3.根據權利要求1-2任一項所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

預先配置存儲態列表，所述存儲態列表用于記錄最新完成數據寫入的字線的存儲態。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述獲取與目標字線相鄰的前一個字線上與目標存儲單元臨近的存儲單元的存儲態，包括：

查找所述存儲態列表以獲取與目標字線相鄰的前一個字線上與目標存儲單元臨近的存儲單元的存儲態。

5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

在完成目標字線的數據寫入后更新存儲態列表，以將目標字線的存儲態記錄到存儲態列表。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述當與目標字線相鄰的前一個字線上與目標存儲單元臨近的存儲單元的存儲態低于預設的存儲態閾值時，采用預設的優化編寫驗證電壓對目標存儲單元進行最高存儲態的寫入，包括：

當與目標字線相鄰的前一個字線上與目標存儲單元臨近的存儲單元的存儲態為擦除態時，采用預設的優化編寫驗證電壓對目標存儲單元進行最高存儲態的寫入。

7.一種NAND閃存的數據寫入裝置，其特征在于，所述裝置包括：

判斷模塊，用于判斷目標字線的目標存儲單元的待寫入存儲態是否為NAND閃存的最高存儲態，目標字線為當前待寫入字線；

獲取模塊，用于若目標字線的目標存儲單元的待寫入存儲態為NAND閃存的最高存儲態，則獲取與目標字線相鄰的前一個字線上與目標存儲單元臨近的存儲單元的存儲態，其中，臨近的存儲單元為前一個字線上與目標字線在同一位線對應的存儲單元；

控制模塊，用于當與目標字線相鄰的前一個字線上與目標存儲單元臨近的存儲單元的存儲態低于預設的存儲態閾值時，采用預設的優化編寫驗證電壓對目標存儲單元進行最高存儲態的寫入，所述優化編寫驗證電壓大于最高存儲態對應的標準編寫驗證電壓；

所述判斷模塊，還用于在判斷目標字線的目標存儲單元的待寫入存儲態是否為NAND閃存的最高存儲態之前，判斷目標字線是否為當前物理塊的起始字線0；

所述控制模塊，還用于當目標字線為當前物理塊的起始字線0時，采用與待寫入的存儲態對應的標準編寫驗證電壓對目標字線進行數據寫入。

8.根據權利要求7所述的裝置，其特征在于，所述判斷模塊，用于當目標字線不是當前物理塊的起始字線0時，執行所述判斷目標字線的目標存儲單元的待寫入存儲態是否為NAND閃存的最高存儲態的操作。

9.一種計算機可讀存儲介質，其上存儲有計算機程序，其特征在于，該計算機程序被處理器執行時實現如權利要求1-6任一項所述方法的步驟。

10.一種存儲設備，其特征在于，包括存儲控制器，所述存儲控制器包括存儲器、處理器及存儲在存儲器上并可在處理器上運行的計算機程序，所述處理器執行所述計算機程序時實現如權利要求1-6任一項所述方法的步驟。