[發明專利]一種調控石墨烯-介質納米線等離激元波導結構亞波長傳輸性能的方法在審
| 申請號： | 202210524611.0 | 申請日： | 2022-05-13 |
| 公開（公告）號： | CN114815021A | 公開（公告）日： | 2022-07-29 |
| 發明（設計）人： | 滕達;王志文;趙高;桓瓊莎;田原銘;胡雪梅;管子怡 | 申請（專利權）人： | 鄭州師范學院 |
| 主分類號： | G02B5/00 | 分類號： | G02B5/00 |
| 代理公司： | 鄭州意創知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 41138 | 代理人： | 張江森 |
| 地址： | 450044 *** | 國省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 調控 石墨 介質 納米 離激元 波導 結構 波長 傳輸 性能 方法 | ||
1.一種調控石墨烯-介質納米線等離激元波導結構亞波長傳輸性能的方法，其特征在于，所述波導結構包括涂覆單層石墨烯的三角形介質納米線、圓形Si納米線、所述涂覆單層石墨烯的三角形介質納米線與所述圓形Si納米線形成的間隙區域；
其中，所述涂覆單層石墨烯的三角形介質納米線的圓角半徑為r；
所述涂覆單層石墨烯的三角形介質納米線的三角形頂角為θ；
所述圓形Si納米線的半徑為R；
所述涂覆單層石墨烯的三角形介質納米線與所述圓形Si納米線形成的間隙區域距離為hgap；
通過調控所述涂覆單層石墨烯的三角形介質納米線的圓角半徑r、所述涂覆單層石墨烯的三角形介質納米線的三角形頂角θ、所述圓形Si納米線的半徑R、所述間隙區域距離hgap實現調控石墨烯-介質納米線等離激元波導結構亞波長傳輸性能。
2.如權利要求1所述的調控石墨烯-介質納米線等離激元波導結構亞波長傳輸性能的方法，其特征在于，所述涂覆單層石墨烯的三角形介質納米線的三角形頂角θ為銳角。
3.如權利要求1所述的調控石墨烯-介質納米線等離激元波導結構亞波長傳輸性能的方法，其特征在于，所述涂覆單層石墨烯的三角形介質納米線的圓角半徑r為2～10nm；所述圓形Si納米線的半徑R為20～100nm。
4.如權利要求1所述的調控石墨烯-介質納米線等離激元波導結構亞波長傳輸性能的方法，其特征在于，所述涂覆單層石墨烯的三角形介質納米線為將單層石墨烯涂覆在相對介電常數為2～12的三角形介質納米線上；所述三角形介質納米線為Si納米線。
5.如權利要求4所述的調控石墨烯-介質納米線等離激元波導結構亞波長傳輸性能的方法，其特征在于，所述圓形Si納米線的相對介電常數為12.25。
6.如權利要求1所述的調控石墨烯-介質納米線等離激元波導結構亞波長傳輸性能的方法，其特征在于，所述單層石墨烯的費米能級為0.4～1.4eV。
7.如權利要求1所述的調控石墨烯-介質納米線等離激元波導結構的亞波長傳輸性能的方法，其特征在于，所述間隙區域的填充介質為SiO2，所述間隙區域距離hgap為1～20nm。
8.一種石墨烯-介質納米線等離激元波導結構，其特征在于，由權利要求1至7任一項所述的方法制備得到。
9.如權利要求8所述的石墨烯-介質納米線等離激元波導結構的應用，其特征在于，所述石墨烯-介質納米線等離激元波導結構可用于制備波導集成型等離激元光器件。
10.如權利要求9所述的石墨烯-介質納米線等離激元波導結構的應用，其特征在于，所述波導集成型等離激元光器件為調制器、濾波器或諧振器。
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