[發明專利]超薄超小芯片封裝工藝及裝片工藝在審
| 申請號: | 202210519666.2 | 申請日: | 2022-05-13 |
| 公開(公告)號: | CN114927457A | 公開(公告)日: | 2022-08-19 |
| 發明(設計)人: | 彭勇;周根強;謝兵;李躍;姜小川;方國太;熊小鵬;倪權;馬昌兵;申健;方元元;楊仕彬 | 申請(專利權)人: | 池州華宇電子科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司: | 合肥中博知信知識產權代理有限公司 34142 | 代理人: | 管秋香 |
| 地址: | 247000 安徽省*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 超薄 芯片 封裝 工藝 | ||
1.一種超薄超小芯片封裝工藝,其特征在于,包括以下步驟:
S1、將超薄超小目標芯片晶圓片減薄劃片,得到若干單顆芯片;
S2、通過改進的橡膠吸嘴將若干所述單顆芯片放在裝片機上,使用黏合物將單顆芯片裝載到引線框架載體上并放入烤箱進行烘烤后冷卻,得到集成芯片框架;其中,所述改進的橡膠吸嘴的頭部采用抗沾污工藝處理,表面粗化;
S3、將所述集成芯片框架進行鍵合處理,得到鍵合芯片框架;
S4、對所述鍵合芯片框架進行塑封固化,得到塑封芯片框架;
S5、對所述塑封芯片框架進行電鍍和切筋處理。
2.如權利要求1所述的超薄超小芯片封裝工藝,其特征在于,在對所述鍵合芯片框架進行塑封固化前,所述超薄超小芯片封裝工藝還包括:
對鍵合芯片框架點覆晶膠再烘烤。
3.如權利要求1所述的超薄超小芯片封裝工藝,其特征在于,所述使用黏合物將單顆芯片裝載到引線框架載體上并放入烤箱進行烘烤后冷卻,包括:
使用銀漿作為黏合物,對單顆芯片進行點膠處理,將單顆芯片以矩陣的形式裝載到引線框架載體上,再將裝有芯片的引線框架放入烤箱并持續通入純氮氣,烘烤后取出自然冷卻至室溫。
4.如權利要求1所述的超薄超小芯片封裝工藝,其特征在于,所述將所述集成芯片框架進行鍵合處理,得到鍵合芯片框架,包括:
將所述集成芯片框架放置于裝有包含25μm軟銅線的封裝基板的鍵合機上,使用BSOB鍵合方式將單顆芯片和封裝基板通過25μm軟銅線連接起來,其中,所述單顆芯片設置焊點,所述封裝基板設置植球點,使用25μm軟銅線從植球點側面引線將封裝基板與單顆芯片連接,得到鍵合芯片框架。
5.如權利要求1所述的超薄超小芯片封裝工藝,其特征在于,對集成芯片框架進行鍵合前后,均需進行清洗處理。
6.如權利要求1所述的超薄超小芯片封裝工藝,其特征在于,所述對鍵合芯片框架進行塑封固化,得到塑封芯片框架,包括:
將鍵合芯片框架放置在模壓機上進行塑封制得初始塑封芯片框架,將初始塑封芯片框架置入料框中,相鄰兩層的初始塑封芯片框架間放置耐高溫鋼化玻璃,并在頂層放置配重塊,隨后將料框置入烤箱進行烘烤,得到塑封芯片框架。
7.如權利要求1~6任一所述的超薄超小芯片封裝工藝,其特征在于,所述單顆芯片的尺寸為290μm*210μm*100μm。
8.一種超薄超小芯片裝片工藝,其特征在于,通過頭部采用抗沾污工藝處理后的橡膠吸嘴將單顆芯片放在裝片機上,所述橡膠吸嘴的頭部表面粗化。
9.如權利要求7超薄超小芯片裝片工藝,其特征在于,所述單顆芯片的尺寸為290μm*210μm*100μm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





