[發(fā)明專利]元件基板及其制造方法

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• 申請日: 2022-05-12
• 公開（公告）號: CN114824140A
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蔡榕陞;李文仁;余志堅;來漢中;劉樹橿;洪濬成;胡仰霈;甄美英
• 申請（專利權(quán)）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

1.一種元件基板，包括：

一第一基板，具有一主動區(qū)以及位于該主動區(qū)的至少一側(cè)的一周邊區(qū)；

一第一電極，位于該主動區(qū)之上，且該第一電極包括一第一金屬層；

一接合墊，位于該周邊區(qū)之上；以及

一犧牲電極，位于該第一基板之上，且包括：

一第二金屬層，電性連接至該第一金屬層；以及

一犧牲氧化物層，位于該第二金屬層的表面，其中該犧牲氧化物層為該第二金屬層的氧化物，且該第二金屬層的標準還原電位低于該第一金屬層的標準還原電位。

2.如權(quán)利要求1所述的元件基板，其中該犧牲電極與該接合墊皆位于該周邊區(qū)之上，且該第一金屬層電性連接至該犧牲電極與該接合墊。

3.如權(quán)利要求1所述的元件基板，還包括：

一第一測試接墊，位于該周邊區(qū)之上，且該第一測試接墊電性連接至該第一電極，其中該犧牲電極位于該第一測試接墊與該接合墊之間；以及

一第一測試信號線，電性連接該第一測試接墊。

4.如權(quán)利要求1所述的元件基板，其中兩個以上的該第一電極電性連接至同一個該犧牲電極。

5.如權(quán)利要求1所述的元件基板，還包括：

一絕緣層，位于該主動區(qū)之上與該周邊區(qū)之上，其中該絕緣層具有一第一開口、一第二開口以及一第三開口，該第一電極填入該第一開口中，該接合墊填入該第二開口中，且該犧牲電極位于該第三開口的底部。

6.如權(quán)利要求1所述的元件基板，其中該第一電極包括按序堆疊的一底部氧化物層、該第一金屬層以及一頂部氧化物層，該第一金屬層包覆該底部氧化物層的頂面以及側(cè)面，且該頂部氧化物層的側(cè)面與該第一金屬層的側(cè)面對齊。

7.如權(quán)利要求1所述的元件基板，還包括：

一像素控制電路，位于該主動區(qū)之上，且電性連接該第一電極，其中該像素控制電路包括至少一主動元件。

8.如權(quán)利要求1所述的元件基板，還包括：

一像素定義層，位于該第一電極上，且接觸該第一電極的該第一金屬層，其中該像素定義層包括重疊于該第一電極的一通孔；

一有機發(fā)光材料，位于該通孔中，且接觸該第一電極；以及

一第二電極，位于該有機發(fā)光材料上，且該有機發(fā)光材料位于該第二電極與該第一電極之間。

9.如權(quán)利要求1所述的元件基板，其中該第一金屬層包括銀，且該第二金屬層的標準還原電位低于+0.7996V。

10.一種元件基板的制造方法，包括：

提供一第一基板，該第一基板具有一主動區(qū)以及位于該主動區(qū)的至少一側(cè)的一周邊區(qū)；

形成一第二金屬層于該第一基板之上；

形成一接合墊于該周邊區(qū)之上；

形成一第一電極于該主動區(qū)之上，其中該第一電極包括一第一金屬層，其中該第二金屬層電性連接至該第一金屬層，且該第二金屬層的標準還原電位低于該第一金屬層的標準還原電位；以及

通過氧化至少部分該第二金屬層而于該第二金屬層的表面形成一犧牲氧化物層，且氧化至少部分該第二金屬層時產(chǎn)生的電子傳遞至該第一金屬層。

11.如權(quán)利要求10所述的元件基板的制造方法，其中該第二金屬層與該接合墊皆位于該周邊區(qū)之上，且該第一金屬層電性連接至該第二金屬層與該接合墊。

12.如權(quán)利要求10所述的元件基板的制造方法，還包括：

形成一第一測試接墊于該周邊區(qū)之上，其中該第一測試接墊電性連接至該第一電極。

13.如權(quán)利要求12所述的元件基板的制造方法，還包括：

切割該第一基板，并移除該第一測試接墊。