[發明專利]光電轉換裝置以及照相機

在審

• 申請號: 202210517086.X
• 申請日: 2017-03-29
• 公開（公告）號: CN114914260A
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發明（設計）人: 浮賀谷信貴;桑原英司
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H04N5/225
• 代理公司: 北京怡豐知識產權代理有限公司 11293
• 代理人: 遲軍;高華麗

本發明提供一種光電轉換裝置以及照相機。所述光電轉換裝置包括元件隔離部和像素隔離部，所述元件隔離部設置在半導體層的正面側并且由絕緣體構成。所述像素隔離部包括在法線方向上與隔離區域交疊的部分。所述半導體層在中間平面中跨越半導體區域連續。所述部分位于一個半導體區域與另一半導體區域之間。

本申請是申請日為2017年3月29日，申請號為201710197850.9，發明名稱為“光電轉換裝置以及照相機”的發明專利申請的分案申請。

技術領域

本公開涉及一種光電轉換裝置。

背景技術

已經對在用于照相機的光電轉換裝置(例如，互補金屬氧化物半導體(complementary metal-oxide semiconductor，CMOS)圖像傳感器)中的半導體層中配設溝槽進行了研究。由于由溝槽構成的隔離部用作光、電荷等的壁壘，因此靈敏度提高，并且抑制了混色(color mixing)。因此，能夠提高光電轉換性能。

日本特開2014-204047號公報公開了一種由空間和絕緣體構成的元件隔離?？臻g和絕緣體設置在溝槽中。

對日本特開2014-204047號公報中公開的溝槽的研究表明，光電轉換單元的靈敏度會由于溝槽的布置而降低。

發明內容

實施例的一個公開方面旨在提供一種具有改進的光電轉換性能的光電轉換裝置。一個實施例提供了一種光電轉換裝置，所述光電轉換裝置包括：半導體層，其具有第一面和第二面，所述第二面與所述第一面相對；第一隔離部，其設置在所述第一面側，所述第一隔離部由絕緣體構成；以及第二隔離部，其被設置為穿過沿所述第二面延伸的平面，所述平面位于比所述第一隔離部更靠近所述第二面，所述第二隔離部由配設在所述半導體層中的溝槽構成。所述半導體層包括：作為由所述第一隔離部限定的元件區域，配設有第一光電轉換元件的第一元件區域，配設有第二光電轉換元件的第二元件區域，以及設置在所述第一元件區域與所述第二元件區域之間的第三元件區域，所述第三元件區域具有與所述第一元件區域和所述第二元件區域不同的形狀。所述第一隔離部包括：位于所述第一元件區域與所述第三元件區域之間的第一隔離區域，以及位于所述第二元件區域與所述第三元件區域之間的第二隔離區域。所述半導體層包括：在關于所述第一面的法線方向上位于所述第一元件區域與所述第二面之間的第一半導體區域，在所述法線方向上位于所述第二元件區域與所述第二面之間的第二半導體區域，在所述法線方向上位于所述第三元件區域與所述第二面之間的第三半導體區域，以及在所述法線方向上位于所述第一隔離區域與所述第二面之間的第四半導體區域。所述第二隔離部包括在所述法線方向上與所述第二隔離區域交疊的部分。在所述平面中，所述第一半導體區域和所述第三半導體區域經由所述第四半導體區域連續，并且所述部分位于所述第二半導體區域與所述第三半導體區域之間。所述第一光電轉換元件包括信號電荷是多數載流子的第一導電類型的第一雜質區域以及信號電荷是少數載流子的第二導電類型的第二雜質區域，并且所述第一雜質區域與所述部分之間的距離大于所述第一雜質區域與所述第一隔離區域之間的距離。

通過以下參照附圖對示例性實施例的描述，實施例的其他特征將變得清楚。

附圖說明

圖1A和圖1B是用于分別例示作為光電轉換裝置的示例的、背側和正側照射型攝像裝置的示意圖。

圖2是用于例示光電轉換裝置中的半導體層的示意圖。

圖3A、圖3B、圖3C和圖3D例示了對元件隔離部與像素隔離部之間的形狀和/或位置關系的變型。圖3E、圖3F和圖3G是用于例示對雜質區域的構造的變型的示意圖。

圖4是用于例示像素的布局的第一示例的示意圖。

圖5是用于例示像素的布局的第二示例的示意圖。

圖6是用于例示像素的布局的第三示例的示意圖。

圖7是用于例示像素的布局的第四示例的示意圖。