[發(fā)明專利]加熱組件及氣溶膠產(chǎn)生裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210515728.2
• 申請日: 2022-05-11
• 公開（公告）號: CN114886165A
• 公開（公告）日: 2022-08-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃鵬飛;郭玉;郭聰慧;劉小力;黃祖富;冼小毅;周亞林
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳麥時科技有限公司
• 主分類號: A24F40/465
• 分類號: A24F40/465
• 代理公司: 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280
• 代理人: 李莉

1.一種加熱組件，其特征在于，所述加熱組件包括：

基體，呈中空管狀；

輻射加熱層，設(shè)置于所述基體的內(nèi)壁面所在的一側(cè)，用于在被加熱時輻射射線；及

導(dǎo)電線圈，環(huán)繞于所述基體設(shè)置，用于在通電時產(chǎn)生變化磁場，以加熱所述輻射加熱層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱組件，其特征在于，所述導(dǎo)電線圈在通電時產(chǎn)生的變化磁場，使得所述基體產(chǎn)生渦流而升溫，以加熱所述輻射加熱層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的加熱組件，其特征在于，所述基體為金屬基材。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的加熱組件，其特征在于，所述加熱組件還包括絕緣層，所述絕緣層設(shè)置于所述基體的外壁面和所述導(dǎo)電線圈之間，所述導(dǎo)電線圈環(huán)繞設(shè)置于所述絕緣層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱組件，其特征在于，所述導(dǎo)電線圈在通電時產(chǎn)生的變化磁場，使得所述輻射加熱層產(chǎn)生渦流而被加熱。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的加熱組件，其特征在于，所述基體為絕緣基材，所述輻射加熱層內(nèi)摻雜有金屬顆粒。

7.根據(jù)權(quán)利要求2-5任一項所述的加熱組件，其特征在于，所述加熱組件還包括反射層，所述反射層圍繞于所述輻射加熱層的外側(cè)設(shè)置，用于反射所述輻射加熱層輻射的射線。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的加熱組件，其特征在于，所述反射層層疊設(shè)置于所述導(dǎo)電線圈背離所述基體的一側(cè)，且圍繞所述導(dǎo)電線圈設(shè)置，用于反射所述輻射加熱層發(fā)射的加熱射線。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的加熱組件，其特征在于，所述加熱組件還包括保護(hù)層，所述保護(hù)層層疊設(shè)置于所述輻射加熱層背離所述基體的一側(cè)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項所述的加熱組件，其特征在于，所述導(dǎo)電線圈均勻旋繞于所述基體的外壁面；或

所述導(dǎo)電線圈包括連接的第一線段和第二線段，所述第一線段和所述第二線段均勻旋繞于所述基體的外壁面，其中，所述第一線段的旋繞密度大于所述第二線段的旋繞密度；或

所述導(dǎo)電線圈包括相間隔的第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線，所述第一導(dǎo)線和所述第二導(dǎo)線均勻旋繞于所述基體的外壁面，且所述第一導(dǎo)線和所述第二導(dǎo)線交錯旋繞，其中所述第一導(dǎo)線和所述第二導(dǎo)線可被選擇性導(dǎo)通。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱組件，其特征在于，所述導(dǎo)電線圈具有線性的電阻溫度系數(shù)特性，所述加熱組件還包括檢測電路，所述檢測電路用于檢測所述導(dǎo)電線圈的電參數(shù)，以表征所述輻射加熱層的溫度。

12.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項所述的加熱組件，其特征在于，所述輻射加熱層為紅外層。

13.一種氣溶膠產(chǎn)生裝置，其特征在于，所述氣溶膠產(chǎn)生裝置包括：

加熱組件，用于通電時加熱并霧化氣溶膠生成制品，所述加熱組件為如權(quán)利要求1-12中任一項所述的加熱組件；

電源組件，與所述加熱組件電連接，用于向所述加熱組件供電。