[發明專利]一種低成本全背電極晶硅太陽電池制備用玻璃漿、電池結構及其制備方法在審
| 申請號: | 202210515221.7 | 申請日: | 2022-05-11 |
| 公開(公告)號: | CN114944436A | 公開(公告)日: | 2022-08-26 |
| 發明(設計)人: | 李永強;劉家敬;何海英;楊至灝 | 申請(專利權)人: | 佛山科學技術學院 |
| 主分類號: | H01L31/0288 | 分類號: | H01L31/0288;H01L31/0236;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 低成本 電極 太陽電池 制備 玻璃 電池 結構 及其 方法 | ||
1.一種玻璃漿,其特征在于,所述玻璃漿用于制備全背電極晶硅太陽電池,所述玻璃漿包括用于制備p+摻雜層的硼硅玻璃漿和用于制備n+摻雜層的磷硅玻璃漿。
2.根據權利要求1所述的一種玻璃漿,其特征在于,按重量比計算,所述硼硅玻璃漿包括30.0~80.0%硼硅玻璃粉、20.0~70.0%有機溶劑、0.5~15.0%樹脂及0~3.0%有機助劑;所述磷硅玻璃漿包括30.0~80.0%磷硅玻璃粉、20.0~70.0%有機溶劑、0.5~15.0%樹脂及0~3.0%有機助劑。
3.根據權利要求2所述的一種玻璃漿,其特征在于,所述硼硅玻璃粉在硼硅玻璃漿中的占比以及所述磷硅玻璃粉在磷硅玻璃漿中的占比均為40.0~60.0%。
4.根據權利要求2或3所述的一種玻璃漿,其特征在于,所述硼硅玻璃粉由硼的氧化物和硅的氧化物組成,所述磷硅玻璃粉由磷的氧化物和硅的氧化物組成。
5.根據權利要求4所述的一種玻璃漿,其特征在于,所述硼硅玻璃粉由SiO2和B2O3組成,所述磷硅玻璃粉由SiO2和P2O5組成。
6.根據權利要求5所述的一種玻璃漿,其特征在于,按重量比計算,所述硼硅玻璃粉由10~95.0%SiO2和5.0~50.0%B2O3組成;所述包括磷硅玻璃粉由10~95.0%SiO2和5.0~50.0%P2O5組成。
7.根據權利要求2或3所述的一種玻璃漿,其特征在于,所述硼硅玻璃粉和磷硅玻璃粉的粒度D50均為0.1~5.0μm,比表面積S均為0.5~3.0m2/g,軟化溫度Tg均為600~1000℃。
8.一種全背電極晶硅太陽電池的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括以下步驟:
S1、以N型單晶硅片作為硅襯底,首先進行拋光及制絨處理,處理所用的溶液為KOH溶液,KOH溶液的溫度為70-90℃;然后在2-5%的HF溶液中進行清洗,清洗干凈硅片表面;
S2、將權利要求1-20任一項所述的玻璃漿涂覆在硅片背表面形成特殊的叉指型圖案,經過烘干后得到硼硅玻璃層和磷硅玻璃層;
S3、將印刷了硼硅玻璃層和磷硅玻璃層特殊圖案的硅片進行高溫擴散,使硼硅玻璃層下方的硅片區域實現p+層高溫擴散,方阻為60~130Ω/□,并使磷硅玻璃層下方的硅片區域實現n+層高溫擴散,方阻80~150Ω/□;
S4、在1-5%的HF溶液中浸泡1~10分鐘去除硅片背面區域的硼硅玻璃層及磷硅玻璃層;
S5、在硅片正面及背面沉積氧化鋁/氮化硅薄膜,其中氧化鋁薄膜的厚度控制在3-12nm,氮化硅薄膜的厚度控制在40-90nm;
S6、在背面p+層圖案區域絲網印刷銀鋁漿,在背面n+層圖案區域絲網印刷銀漿,經過烘干燒結后形成相應的銀鋁電極和銀電極,燒結峰值溫度控制在700-800℃之間,最終得到全背電極晶體硅太陽電池。
9.根據權利要求8所述的一種全背電極晶硅太陽電池的制備方法,其特征在于,步驟S3中的高溫擴散溫度為800~1100℃,時間為0.5h-2h。
10.采用權利要求8或9所述的制備方法制備得到的全背電極晶硅太陽電池。
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H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





