[發明專利]發光二極管顯示面板

在審

• 申請號: 202210514847.6
• 申請日: 2022-05-11
• 公開（公告）號: CN114899337A
• 公開（公告）日: 2022-08-12
• 發明（設計）人: 簡智偉;楊智翔;陳政傳;蔡卲瑜;黃映倫
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L25/04
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

1.一種發光二極管顯示面板，包括：

一發光二極管基板；以及

一光穿透結構，位于該發光二極管基板之上，其中該光穿透結構的一第一面為該發光二極管顯示面板的外表面，且該光穿透結構的該第一面具有多個凸起微結構或多個凹陷微結構。

2.如權利要求1所述的發光二極管顯示面板，其中該光穿透結構包括：

一主體部，其中該主體部的表面包括多個凹槽；以及

一涂覆層，共形于該主體部的該些凹槽以構成位于該第一面的該些凹陷微結構。

3.如權利要求2所述的發光二極管顯示面板，其中該主體部的折射率為1.3至1.4。

4.如權利要求2所述的發光二極管顯示面板，其中該主體部形成于一基材層上，且該主體部的折射率小于該基材層的折射率。

5.如權利要求1所述的發光二極管顯示面板，其中該光穿透結構包括：

一主體部；

多個顆粒結構，鑲嵌于該主體部的表面；以及

一涂覆層，共形于該主體部與該些顆粒結構以構成位于該第一面的該些凸起微結構。

6.如權利要求5所述的發光二極管顯示面板，其中該主體部的折射率為1.3至1.4。

7.如權利要求5所述的發光二極管顯示面板，其中該主體部形成于一基材層上，且該主體部的折射率小于該基材層的折射率。

8.如權利要求1所述的發光二極管顯示面板，還包括：

一吸光結構，位于該光穿透結構與該發光二極管基板之間。

9.如權利要求8所述的發光二極管顯示面板，其中該吸光結構包括吸光層或線偏振片與四分之一波長波片的堆疊。

10.如權利要求1所述的發光二極管顯示面板，其中該發光二極管基板包括：

一基板；

多個發光二極管封裝結構，設置于該基板上，每個該些發光二極管封裝結構包括一個以上的發光二極管以及包覆該一個以上的發光二極管的一封裝材料；以及

一吸光層，位于該基板之上以及相鄰的該些發光二極管封裝結構之間，其中該吸光層的反射率小于或等于10％。

11.如權利要求1所述的發光二極管顯示面板，其中該發光二極管基板包括：

一基板；

多個發光二極管，設置于該基板上；以及

一吸光層，位于該基板之上以及相鄰的該些發光二極管之間，其中該吸光層的反射率小于或等于10％。

12.如權利要求1所述的發光二極管顯示面板，其中該光穿透結構的該第一面設置有該些凹陷微結構，其中該些凹陷微結構于該發光二極管基板上的垂直投影的面積占據該光穿透結構于該發光二極管基板上的垂直投影的面積的比例大于或等于75％。

13.如權利要求1所述的發光二極管顯示面板，其中該光穿透結構的該第一面設置有該些凹陷微結構，該些凹陷微結構的其中一個的深度D2與該些凹陷微結構的該其中一個的最大寬度的一半R2的比值D2/R2大于或等于0.4。

14.如權利要求1所述的發光二極管顯示面板，其中該光穿透結構的該第一面設置有該些凹陷微結構，該些凹陷微結構的形狀為半球形、半橢球形、立方體、長方體、六角柱形、屋頂形、圓錐形或環形。