[發(fā)明專利]一種能源發(fā)電機在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210510622.3 | 申請日： | 2022-05-11 |
| 公開（公告）號： | CN115021609A | 公開（公告）日： | 2022-09-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張弛;謝媛媛;張之 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京納米能源與系統(tǒng)研究所 |
| 主分類號： | H02N1/06 | 分類號： | H02N1/06 |
| 代理公司： | 北京同達信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291 | 代理人： | 趙小霞 |
| 地址： | 101400 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 能源 發(fā)電機 | ||
1.一種能源發(fā)電機，包括第一電極板、第二電極板，所述第一電極板覆蓋于所述第二電極板的上表面，所述第一電極板為電負性高于設(shè)定閾值的聚合物薄膜，其特征在于，包括：
第一半導體片和第二半導體片，所述第一半導體片、所述第二半導體片的上表面均與所述第二電極板的下表面相接，使得所述第一半導體片、所述第二半導體片分別與所述第二電極板之間形成肖特基結(jié)；且所述第一半導體片與所述第二半導體片之間相隔設(shè)定距離；
其中，所述第二電極板為金屬導體。
2.如權(quán)利要求1所述的能源發(fā)電機，其特征在于，所述第一半導體片的電阻率、第二半導體片的電阻率均不小于10歐姆·厘米。
3.如權(quán)利要求1或2所述的能源發(fā)電機，其特征在于，所述能源發(fā)電機還包括：
第三電極板，貼附于所述第一半導體片的下表面；
第四電極板，貼附于所述第二半導體片的下表面。
4.如權(quán)利要求3所述的能源發(fā)電機，其特征在于，第一半導體片為p型半導體，所述第二半導體片為n型半導體。
5.如權(quán)利要求4所述的能源發(fā)電機，其特征在于，所述第二電極板為透明電極板，且所述第二電極板的費米能級位于所述p型半導體的費米能級和所述n型半導體的費米能級之間。
6.如權(quán)利要求4所述的能源發(fā)電機，其特征在于，在所述第三電極板與所述第一半導體片之間設(shè)置第一粘附層，使得所述第一半導體片與所述第一粘附層之間形成歐姆接觸；并且，在所述第四電極板與所述第二半導體片之間設(shè)置第二粘附層，使得所述第二半導體片與所述第二粘附層之間形成歐姆接觸。
7.如權(quán)利要求4所述的能源發(fā)電機，其特征在于，所述第一半導體片、所述第二半導體片均為硅片。
8.如權(quán)利要求7所述的能源發(fā)電機，其特征在于，所述第三電極板、所述第四電極板均為金電極板。
9.如權(quán)利要求1～2，4～8任一項所述的能源發(fā)電機，其特征在于，所述第一半導體片的厚度、所述第二半導體片的厚度均不小于0.5mm。
10.如權(quán)利要求1所述的能源發(fā)電機，其特征在于，所述能源發(fā)電機還包括：
金屬納米線；
其中，所述金屬納米線于所述第一電極板和所述第二電極板之間；所述金屬納米線在所述第二電極板上表面的覆蓋率為1％～10％之間的任一值。
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