[發(fā)明專利]一種鎘摻雜的銅鋅錫硫硒薄膜制備方法及其在太陽能電池中的應(yīng)用在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210509998.2 | 申請日: | 2022-05-11 |
| 公開(公告)號: | CN114899280A | 公開(公告)日: | 2022-08-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉芳洋;黃子儀;蔣良興;賈明;張宗良;趙祥云;潘逸寧;陳望獻(xiàn);楊文通 | 申請(專利權(quán))人: | 中南大學(xué) |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/032;H01L31/0445 |
| 代理公司: | 長沙智勤知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 43254 | 代理人: | 曾芳琴 |
| 地址: | 410083 湖南*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 摻雜 銅鋅錫硫硒 薄膜 制備 方法 及其 太陽能電池 中的 應(yīng)用 | ||
1.一種鎘摻雜的銅鋅錫硫硒薄膜制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
(1)配置銅鹽、鋅鹽、錫鹽、硫脲與有機(jī)溶劑混合的溶膠凝膠溶液;
(2)將溶膠凝膠溶液通過非真空工藝于鍍Mo的鈉鈣玻璃襯底之上制備出前驅(qū)體薄膜;
(3)通過真空工藝于步驟(2)制備的薄膜上沉積一層5-50nm金屬或金屬硫化物或金屬硒化物;
(4)通過化學(xué)水浴法在步驟(3)制備的薄膜上沉積一層10-100nm的CdS,得到預(yù)制層薄膜;
(5)將步驟(4)的預(yù)制層薄膜置于盛有硒粉或者硫粉的石墨盒,于400-600℃高溫下進(jìn)行退火處理5-30min,自然冷卻后得到鎘摻雜的銅鋅錫硫硒薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,步驟(1)中銅鹽為二價銅化合物,包括CuCl2或Cu(CH3COO)2;鋅鹽包括ZnCl2或Zn(CH3COO)2;錫鹽為二價錫化合物,包括SnCl2或Sn(CH3COO)2。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,步驟(1)中有機(jī)溶劑包括乙二醇單甲醚、N,N-二甲基甲酰胺或二甲基亞砜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,步驟(1)中金屬元素比例為0.6≤Cu/(Zn+Sn)≤1.0,1.0≤Zn/Sn≤1.3,4.0≤S/Zn≤8.0。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,步驟(2)中非真空工藝包括旋轉(zhuǎn)涂布法、絲網(wǎng)印刷法或提拉法。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,步驟(2)中制備的前驅(qū)體薄膜厚度在0.5-3μm之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,步驟(3)中真空工藝為磁控濺射法或蒸發(fā)法。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,步驟(3)中金屬包括Cu或Zn或Sn中的一種或多種,金屬硫化物包括CuS或Cu2S或ZnS或SnS或SnS2中的一種或多種,金屬硒化物包括CuSe或Cu2Se或ZnSe或SnSe或SnSe2中的一種或多種。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,步驟(5)中硒粉或者硫粉為0.5g。
10.權(quán)利要求1所述的鎘摻雜的銅鋅錫硫硒薄膜在太陽能電池中的應(yīng)用。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





