[發明專利]用于多通道交替式模數轉換器(ADC)的使用源極跟隨器的共源共柵A類差分參考緩沖器在審
| 申請號: | 202210509308.3 | 申請日: | 2022-05-11 |
| 公開(公告)號: | CN114759921A | 公開(公告)日: | 2022-07-15 |
| 發明(設計)人: | 駱智峯 | 申請(專利權)人: | 奇力士技術有限公司 |
| 主分類號: | H03M1/08 | 分類號: | H03M1/08;G05F1/56;H03M1/12;H03M1/46 |
| 代理公司: | 深圳市六加知識產權代理有限公司 44372 | 代理人: | 李于明 |
| 地址: | 中國香港上環文咸*** | 國省代碼: | 香港;81 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 通道 交替 式模數 轉換器 adc 使用 跟隨 共源共柵 類差分 參考 緩沖器 | ||
1.一種參考緩沖器,包括:
上源極跟隨器晶體管,具有響應于上柵極節點將電流傳導到第一節點的第一通道;
下源極跟隨器晶體管,具有響應于下柵極節點將電流傳導到第二節點的第二通道;
用于限制電流的尾裝置;
在電源和地之間,所述上源極跟隨器晶體管的所述第一通道、所述下源極跟隨器晶體管的所述第二通道和所述尾裝置的串聯連接;
其中,所述上源極跟隨器晶體管和所述下源極跟隨器晶體管具有相同的晶體管類型和相同的晶體管極性;所述上源極跟隨器晶體管按源極跟隨器配置進行連接,所述第一節點的第一電壓響應于所述上柵極節點而變化;所述下源極跟隨器晶體管按所述源極跟隨器配置進行連接,所述第二節點的第二電壓響應于所述下柵極節點而變化;
用于在所述上柵極節點上生成上控制電壓的第一控制發生器;
用于在所述下柵極節點上生成下控制電壓的第二控制發生器;
多個并聯的分支,每個分支用于生成上參考電壓和下參考電壓,每個分支包括:
分支上源極跟隨器晶體管,其具有響應于所述上柵極節點上的所述上控制電壓將電流傳導到分支第一節點的分支第一通道;
分支下源極跟隨器晶體管,其具有響應于所述下柵極節點上的所述下控制電壓將電流傳導到分支第二節點的分支第二通道;
用于限制所述分支內的電流的分支尾裝置;和
在所述電源和所述地之間,所述分支上源極跟隨器晶體管的所述分支第一通道、所述分支下源極跟隨器晶體管的所述分支第二通道和所述分支尾裝置的分支串聯連接;
其中,所述分支上源極跟隨器晶體管和所述分支下源極跟隨器晶體管具有所述相同的晶體管類型和所述相同的晶體管極性;所述分支上源極跟隨器晶體管按所述源極跟隨器配置進行連接,所述分支第一節點具有響應于所述上控制電壓而變化的所述上參考電壓;所述分支下源極跟隨器晶體管按所述源極跟隨器配置進行連接,所述分支第二節點具有響應于所述下控制電壓而變化的所述下參考電壓;
由此,兩個串聯的源極跟隨器晶體管為每個分支生成兩個參考電壓。
2.如權利要求1所述的參考緩沖器,其中,所述第一控制發生器包括:
第一運算放大器,所述第一運算放大器具有:以所述上控制電壓驅動所述上柵極節點的輸出;所述輸出響應于施加到所述第一運算放大器的非反相輸入端的第一帶隙電壓以及施加到所述第一運算放大器的反相輸入端的所述第一節點;
所述第二控制發生器包括:
第二運算放大器,所述第二運算放大器具有:以所述下控制電壓驅動所述下柵極節點的輸出;所述輸出響應于施加到所述第二運算放大器的非反相輸入端的第二帶隙電壓以及施加到所述第二運算放大器的反相輸入端的所述第二節點;
其中,所述第一帶隙電壓和所述第二帶隙電壓均由帶隙參考發生器生成,所述帶隙參考發生器使用帶隙裝置來生成與溫度和電源電壓波動無關的參考電壓;
由此,對所述反相輸入端的負反饋降低了生成的參考電壓的輸出阻抗。
3.如權利要求2所述的參考緩沖器,其中,所述上源極跟隨器晶體管包括n-通道金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET),其漏極連接到所述電源,而其源極連接到所述第一節點;
所述下源極跟隨器晶體管包括n-通道MOSFET,其漏極連接到所述第一節點,而其源極連接到所述第二節點;
所述尾裝置連接在所述第二節點與所述地之間;
所述分支上源極跟隨器晶體管包括n-通道MOSFET,其漏極連接到所述電源,而其源極連接到所述分支第一節點;
所述分支下源極跟隨器晶體管包括n-通道MOSFET,其漏極連接到所述分支第一節點,而其源極連接到所述分支第二節點;
所述分支尾裝置連接在所述分支第二節點與所述地之間。
4.如權利要求3所述的參考緩沖器,其中,所述尾裝置和所述分支尾裝置均包括電阻。
5.如權利要求3所述的參考緩沖器,其中,所述尾裝置和所述分支尾裝置均包括電流源。
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