[發明專利]一種基于鈣鈦礦量子點的白光OLED器件在審
| 申請號: | 202210508794.7 | 申請日: | 2022-05-11 |
| 公開(公告)號: | CN114824118A | 公開(公告)日: | 2022-07-29 |
| 發明(設計)人: | 黃晉;王皓 | 申請(專利權)人: | 陜西科技大學 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 西安西達專利代理有限責任公司 61202 | 代理人: | 郭秋梅 |
| 地址: | 710021 陜西省*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 鈣鈦礦 量子 白光 oled 器件 | ||
1.一種鈣鈦礦量子點白光發光器件,包括金屬陰極(1),其特征在于,金屬陰極(1)連接電子注入/空穴阻擋層(2),電子注入/空穴阻擋層(2)依次連接電子傳輸層(3)、有機發光層(4)、量子點層(5)、空穴傳輸層(6)及ITO陽極導電玻璃層(7),ITO陽極導電玻璃層(7)與金屬陰極(1)電源連通。
2.根據權利要求1所述的一種鈣鈦礦量子點白光發光器件,其特征在于,所述的金屬陰極(1)所用的材料為Al。
3.根據權利要求1所述的一種鈣鈦礦量子點白光發光器件,其特征在于,所述的電子注入/空穴阻擋層(2)所用材料為LiF。
4.根據權利要求1所述的一種鈣鈦礦量子點白光發光器件,其特征在于,所述的電子傳輸層(3)所用材料為TBPi。
5.根據權利要求1所述的一種鈣鈦礦量子點白光發光器件,其特征在于,所述的有機發光層(4)為可發出藍綠光的有機材料,如聚2-(5-([2,2'雙噻吩]-5-基)-3-(9,9-二甲基-9h-芴-3-基)-4,5-二氫-1h-吡唑基)苯并噻二唑(PTPF),聚2-(5-(5-(蒽-9-基)噻吩-2-基)-3-(9,9-二甲基- 9h-芴-3-基)-4,5-二氫-1吡唑-1-基)苯并噻唑(PAPF),10,10’-[5-(6-[1,1' -聯苯]-4-基-2-苯基-4-嘧啶基)-1,3苯基]雙[9,10-二氫-9,9-二甲基-吖啶(DMAC-BPP)等。
6.根據權利要求1所述的一種鈣鈦礦量子點白光發光器件,其特征在于,所述的量子點層(5)所用材料為CsPb(I/Br)3 。
7.根據權利要求1所述的一種鈣鈦礦量子點白光發光器件,其特征在于,所述的空穴傳輸層(6)采用有機材料,如PEDOT:PSS、Spiro-OMeTAD、Poly(3-hexylthiophene)(P3HT)、poly-(triarylamine) (PTAA)等。
8.根據權利要求1所述的一種鈣鈦礦量子點白光發光器件,其特征在于,所述的ITO陽極導電玻璃層(7)為氧化銦錫導電玻璃襯底。
9.一種鈣鈦礦量子點白光發光器件制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟一:將導電玻璃氧化銦錫(ITO)用浸有去離子水、乙醇和丙酮的棉球進行預洗滌,再將預洗滌后的玻璃板置于乙醇和丙酮中超聲清洗20 min;
步驟二:將PEDOT:PSS和異丙醇溶液按20:1的體積比混合并攪拌,超聲處理30 min后過濾。
10. 將該溶液以4000 rpm/s的轉速旋轉涂覆在步驟一所得的ITO玻璃板上30 s;
步驟三:采用熱注入法合成鈣鈦礦量子點CsPb(I/Br)3,首先將PbBr2和PbI2與1-十八烯一起加入到500 mL圓底燒瓶中攪拌,在120℃的真空下脫氣1 h,再注入過量的油酸和油胺(約70℃預熱),至于真空下直至PbBr2和PbI2完全溶解,將Cs2CO3 (0.4 g)、40 mL 1-十八烯和2.5 mL油酸分別裝入100ml的三頸燒瓶中,在120℃下真空攪拌0.5 h,直至所有Cs2CO3與油酸反應生成Cs -油酸化合物,然后將燒瓶重新注入N2,預熱至70℃;快速將Cs -油酸化合物注入到混合物中,等反應混合物變成暗紅色,立即將燒瓶浸泡在冰浴中使反應淬滅,將合成的量子點在8000 rpm下離心5 min,將聚集性量子點清除,在上清液中加入乙酸甲酯,沉淀小粒徑的量子點;在10000 rpm離心5 min后,將每個離心管中的量子點濕顆粒在己烷中再次分散,用等體積的MeOAc再次沉淀,以10000 rpm離心2 min,重復洗滌2次;將剩余的固體在真空中干燥,得到尺寸均勻的CsPb(I/Br)3量子點,為了獲得配體,把量子點分散到過量的己烷(10 mg/mL)中,使量子點聚集和沉淀;配體分子留在上清液中,在界面引入OA/OAm,將OA和OAm(體積比1:1)混合并用辛烷(1mg /mL)稀釋;以4000 rpm轉速將鈣鈦礦量子點前驅體溶液旋轉涂覆在步驟二所得的基板上,在100℃下退火30 min,形成一層致密的量子點薄膜;
步驟四:在5.0×10?4 Pa真空條件下,將有機層和TPBi 、LiF和金屬電極依次沉積在步驟三所得的基底上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





