[發明專利]半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 202210507404.4
• 申請日: 2022-05-10
• 公開（公告）號: CN114743976A
• 公開（公告）日: 2022-07-12
• 發明（設計）人: 王春明;王紹迪
• 申請（專利權）人: 北京知存科技有限公司
• 主分類號: H01L27/11517
• 分類號: H01L27/11517;H01L27/11521
• 代理公司: 北京市漢坤律師事務所 11602
• 代理人: 魏小薇;吳麗麗

提供了一種半導體器件及其制造方法。該制造方法包括：在襯底上依次形成氧化物層、浮置柵極層、電介質層、控制柵極層和硬掩模層；蝕刻硬掩模層、控制柵極層、電介質層和浮置柵極層，以形成柵極堆疊體；移除氧化物層的在襯底的第一區域和第二區域上的部分；在襯底的第一區域和第二區域上分別形成第一選擇柵極氧化物結構和第二選擇柵極氧化物結構，并且，在柵極堆疊體兩側分別形成隧穿氧化物結構；在隧穿氧化物結構的與柵極堆疊體相對的一側分別形成選擇柵極；蝕刻柵極堆疊體，以形成第一開口；在襯底的位于第一開口下方的部分中形成源極區域；以及在選擇柵極的與第一開口相對的一側的襯底中形成漏極區域。

技術領域

本公開涉及半導體技術領域，特別是涉及一種半導體器件及其制造方法。

背景技術

在電子設備中，需要借助存儲器來進行數據的讀取和存儲。因此，隨著對電子設備的需求不斷增長，對存儲器技術的要求也越來越高。

閃存是一種可電擦除和重新編程的電非易失性計算機存儲介質，即使在供電電源關閉后，仍能保持片內信息。閃存使用方便，既具有讀寫靈活性和較快的訪問速度，又具有在斷電后可不丟失信息的特點，因而，閃存技術發展非常迅猛。

閃存包括可尋址的存儲器單元陣列，其中，每個存儲器單元包括用于存儲對應信息的浮置柵極晶體管。因此，期望改善制造閃存(尤其是閃存中的存儲器單元)的方法。

發明內容

根據本公開的一些實施例，提供了一種半導體器件的制造方法，包括：在襯底上依次形成氧化物層、浮置柵極層、電介質層、控制柵極層和硬掩模層；蝕刻硬掩模層、控制柵極層、電介質層和浮置柵極層，以形成由硬掩模層、控制柵極層、電介質層和浮置柵極層的剩余部分構成的柵極堆疊體；移除氧化物層的在襯底的第一區域和第二區域上的部分，其中，第一區域和第二區域位于柵極堆疊體兩側；在襯底的第一區域和第二區域上分別形成第一選擇柵極氧化物結構和第二選擇柵極氧化物結構，并且，在柵極堆疊體兩側分別形成第一隧穿氧化物結構和第二隧穿氧化物結構；在第一隧穿氧化物結構的與柵極堆疊體相對的一側形成第一選擇柵極，并且，在第二隧穿氧化物結構的與柵極堆疊體相對的一側形成第二選擇柵極；蝕刻柵極堆疊體，以形成穿過硬掩模層、控制柵極層、電介質層和浮置柵極層的剩余部分的第一開口；在襯底的位于第一開口下方的部分中形成源極區域；以及在第一選擇柵極的與第一開口相對的一側的襯底中形成第一漏極區域，并且，在第二選擇柵極的與第一開口相對的一側的襯底中形成第二漏極區域。

根據本公開的一些實施例，提供了一種半導體器件，該半導體器件由如本公開所述的方法制造。

根據在下文中所描述的實施例，本公開的這些和其它方面將是清楚明白的，并且將參考在下文中所描述的實施例而被闡明。

附圖說明

在下面結合附圖對于示例性實施例的描述中，本公開的更多細節、特征和優點被公開，在附圖中：

圖1是根據本公開的一些實施例的半導體器件的制作方法的示意性流程圖；

圖2A-2H是根據本公開的一些實施例的半導體器件的制作方法的步驟的示意剖面圖；

圖3A-3O是根據本公開的一些實施例的半導體器件的制作方法的步驟的示意剖面圖；

圖4A-4B是根據本公開的一些實施例的半導體器件的制作方法的步驟的示意剖面圖；

圖5是根據本公開的一些實施例的半導體器件的制作方法的步驟的示意剖面圖；

圖6是根據本公開的一些實施例的半導體器件的制作方法的步驟的示意剖面圖；

圖7是根據本公開的一些實施例的半導體器件的剖面結構示意圖；

圖8是根據本公開的一些實施例的存儲器單元陣列的電路示意圖；

圖9A-9B是根據本公開的一些實施例的存儲器單元陣列的俯視平面圖。