[發(fā)明專利]存儲器器件、半導體管芯及半導體結構的制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210503795.2
• 申請日: 2022-05-10
• 公開（公告）號: CN115000044A
• 公開（公告）日: 2022-09-02
• 發(fā)明（設計）人: 邱榮標;陳佑升
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/535
• 分類號: H01L23/535;H01L21/768;H01L27/22;H01L27/24
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 王素琴

1.一種存儲器器件，包括：

多個晶體管；以及

存儲單元陣列，設置在所述晶體管上方并與所述晶體管電性耦合，所述存儲單元陣列包括：

多個字線，所述存儲單元陣列的多個奇數階層上的所述字線的第一部分沿第一方向定向，所述存儲單元陣列的多個偶數階層上的所述字線的第二部分沿第二方向定向，所述第二方向與所述第一方向成角度偏移；

多個位線柱，貫穿所述奇數階層和所述偶數階層；以及

多個數據儲存層，插設在所述字線和所述位線柱之間，所述位線柱中的每一個被所述數據儲存層中的任一個包圍。

2.根據權利要求1所述的存儲器器件，其中所述第一方向大致上正交于所述第二方向。

3.根據權利要求1所述的存儲器器件，其中所述字線的所述第一部分或所述第二部分包括：

第一分支部分，通過第一公用連接而連接在一起；以及

第二分支部分，通過第二公用連接而連接在一起，所述第二公用連接大致上平行于所述第一公用連接。

4.根據權利要求1所述的存儲器器件，還包括：

多個控制線，在所述第一方向延伸并電性連接到所述晶體管的柵極；以及

多個源極線，在所述第二方向延伸并設置在所述控制線之下，所述源極線電性連接至所述晶體管的源極。

5.根據權利要求1所述的存儲器器件，其中所述晶體管中的每一個包括源極和漏極，所述漏極垂直地在所述源極和所述存儲單元陣列之間，并且所述晶體管中的每一個的所述漏極連接到所述位線柱中的任一個。

6.一種半導體管芯，包括：

半導體襯底；

內連線結構，設置在所述半導體襯底之上；以及

存儲器器件，嵌入在所述內連線結構中并包括：

多個晶體管；

多個第一字線，在第一階層并在第一方向延伸；

多個第二字線，在所述第一階層之上的第二階層并在第二方向延伸，所述第二方向大致上正交于所述第一方向；

多個位線，貫穿所述第一階層和所述第二階層并在第三方向延伸，所述第三方向大致上正交于所述第一方向和所述第二方向；以及

多個數據儲存層，將所述第一字線和所述第二字線與所述位線分開，所述位線中的每一個被所述數據儲存層中的任一個包圍。

7.根據權利要求6所述的半導體管芯，其中所述第一字線中的任一個包括被所述第二字線覆蓋的多個重疊區(qū)，并且所述重疊區(qū)通過所述內連線結構的介電層彼此隔開。

8.根據權利要求6所述的半導體管芯，其中所述晶體管中的每一個包括源極和漏極，所述漏極在所述第三方向堆疊在所述源極之上。

9.一種半導體結構的制造方法，包括：

在介電層中形成多個第一字線；

在所述介電層和所述第一字線之上形成多個第二字線，其中所述第一字線的延伸方向大致上正交于所述第二字線的延伸方向；

形成數據儲存層以與所述第一字線和所述第二字線接觸；以及

形成多個位線柱以被所述數據儲存層包圍。

10.根據權利要求9所述的半導體結構的制造方法，其中形成所述數據儲存層包括：

去除所述介電層中的多個柱以形成多個孔，其中在俯視圖中所述孔在所述第一字線之間并且也在所述第二字線之間；以及

用所述數據儲存層里襯所述孔。