[發明專利]一種集成波導饋電的毫米波基片集成介質濾波天線

在審

• 申請號: 202210495960.4
• 申請日: 2022-05-09
• 公開（公告）號: CN114937868A
• 公開（公告）日: 2022-08-23
• 發明（設計）人: 陳建新;王曉凡;楊玲玲;唐世昌;秦偉;楊永杰
• 申請（專利權）人: 南通大學
• 主分類號: H01Q5/55
• 分類號: H01Q5/55;H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50
• 代理公司: 南通博瑞達專利代理事務所(特殊普通合伙) 32530
• 代理人: 劉翔

1.一種集成波導饋電的毫米波基片集成介質濾波天線，其特征在于：包括自下而上依次層疊設置的基片集成波導、中間層介質基板（8）和介質塊（1），所述介質塊（1）位于中間層介質基板（8）的上方，正對于中間介質基板（8）的中央，兩者構成介質諧振器，所述介質塊（1）開設有兩排對稱的沿X方向布置的金屬化通孔（2），兩排金屬化通孔（2）的距離W₅的取值范圍為（b/2,b-0.4mm），b為介質塊（1）在Y方向上的長度。

2. 根據權利要求1所述的集成波導饋電的毫米波基片集成介質濾波天線，其特征在于：鎖定金屬化通孔（2）的尺寸和相鄰金屬化通孔（2）沿X軸的間距，通過參數掃描確定每排金屬化通孔（2）的數目和兩排金屬化通孔（2）的距離W₅，使得天線獲得8%以上的帶寬，9.0dBi以上的帶內峰值增益，低端27.0dBi以上的帶外抑制，高端11.0dBi以上的帶外抑制。

3. 根據權利要求2所述的集成波導饋電的毫米波基片集成介質濾波天線，其特征在于：金屬化通孔（2）的半徑為0.15mm，相鄰金屬化通孔（2）沿X軸的間距L₄ = 0.5mm。

4.根據權利要求1所述的集成波導饋電的毫米波基片集成介質濾波天線，其特征在于：所述基片集成波導包括底層介質基板（11）、分設于底層介質基板（11）上下表面的金屬地板（10）和底層金屬層（12）、以及由金屬化通孔構成的集成波導腔（14），所述金屬地（10）設置有饋電線、位于饋電線兩側的過渡槽（15）、和位于介質塊（1）正下方的饋電槽（13）。

5.根據權利要求1所述的集成波導饋電的毫米波基片集成介質濾波天線，其特征在于：中間層介質基板（8）上具有繞介質塊（1）設置的頂層介質框（5），所述天線還具有圍繞著介質諧振器設置的金屬化環形腔體，該金屬化環形腔體包括：分別設置于頂層介質框（5）上下兩側的第一金屬層（4）和第二金屬層（6）、分別設置于所述中間層介質基板（8）上下兩側的第三金屬層（7）和第四金屬層（9），所述第一金屬層（4）、第二金屬層（6）、第三金屬層（7）和第四金屬層（9）通過貫穿頂層介質框（5）和中間層介質基板（8）的金屬化通孔短路連接。

6.根據權利要求5所述的集成波導饋電的毫米波基片集成介質濾波天線，其特征在于：所述介質塊（1）通過Y方向上兩側中部的介質條（3）與頂層介質框（5）相連，成為一個整體。

7.根據權利要求5所述的集成波導饋電的毫米波基片集成介質濾波天線，其特征在于：所述頂層介質框（5）的高度與介質塊（1）相等。

8.根據權利要求3所述的集成波導饋電的毫米波基片集成介質濾波天線，其特征在于：所述底層介質基板（11）為雙面印刷電路板，雙面印刷電路板的頂層為所述的金屬地板（10），底層為底層金屬層（12）。