[發明專利]陣列基板及顯示面板在審
| 申請號: | 202210494354.0 | 申請日: | 2022-05-07 |
| 公開(公告)號: | CN114823735A | 公開(公告)日: | 2022-07-29 |
| 發明(設計)人: | 施佼佼;徐洪遠;郭力;蘇東明;張偉偉 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1345;G02F1/1343 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 楊瑞 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 顯示 面板 | ||
本申請提出了一種陣列基板及顯示面板;該陣列基板包括多條數據線和多條掃描線,多條數據線與多條掃描線圍成多個子像素單元,子像素單元包括襯底、設置襯底上的公共電極層和位于公共電極層一側的有源層,有源層包括至少一個第一有源層和至少一個第二有源層,第一有源層位于陣列基板的薄膜晶體管內,至少一個第二有源層不位于所述公共電極層與所述數據線交疊的位置;本申請通過去除部分公共電極層來減少公共電極層與有源構件的正投影的交疊位置數量,進而減小因有源層自身厚度導致正負幀顯示下的耦合電容不對稱性,有效改善正負幀顯示時因耦合電容難以抵消而導致的水平串擾問題。
技術領域
本申請涉及顯示技術的領域,具體涉及一種陣列基板及顯示面板。
背景技術
顯示領域一般通過4K、8K等指代顯示設備的分辨率,其表示顯示設備的像素列總數。當前,8K產品一般是基于5道光罩(5Mask)技術進行開發和量產,為了進一步降低生產成本,現開發出了4道光罩(4Mask)技術的8K產品。
但是,4道光罩的8K產品技術開發難度較大,而且存在較為嚴重的水平串擾問題,其主要是因為陣列基板上相鄰兩個子像素單元交界處的有源材料因減少一道光罩導致無法去除,該有源材料與公共電極層、數據信號金屬線之間存在耦合電容,正負幀顯示時該耦合電容因有源材料自身厚度的原因產生不對稱性,導致正負幀顯示時的耦合電容難以抵消,進而導致水平串擾。
發明內容
本申請提供一種陣列基板及顯示面板,以改善當前4道光罩的8K顯示產品正負幀顯示時的耦合電容難以抵消而產生水平串擾的技術問題。
為解決上述技術問題,本申請提供的技術方案如下:
本申請提供一種陣列基板,包括多條數據線和多條掃描線,多條所述數據線與多條所述掃描線圍成多個子像素單元;其中,所述子像素單元包括:
襯底;
公共電極層,設置在所述襯底上;以及
有源層,設置于所述公共電極層的一側,所述有源層包括至少一個第一有源層和至少一個第二有源層,所述第一有源層位于所述陣列基板的薄膜晶體管內;
其中,至少一個所述第二有源層不位于所述公共電極層和所述數據線交疊的位置處。
在本申請的陣列基板中,在第一方向上,相鄰的兩個所述子像素單元的所述公共電極層之間設置有電極連接部,所述第一方向與所述掃描線的延伸方向平行;
其中,所述電極連接部靠近所述薄膜晶體管設置,以及至少一個所述第二有源層在所述公共電極層上的正投影與所述電極連接部不重疊。
在本申請的陣列基板中,所述公共電極層包括沿所述第一方向延伸的第一電極走線,所述第一電極走線靠近所述薄膜晶體管設置;
其中,在所述第一方向上,相鄰的兩個所述公共電極的所述第一電極走線通過所述電極連接部連接。
在本申請的陣列基板中,所述公共電極層還包括至少一條沿第二方向延伸的第二電極走線,所述第一電極走線與所述第二電極走線連接;
其中,所述第二方向與所述數據線的延伸方向平行。
在本申請的陣列基板中,所述子像素單元還包括設置于所述公共電極層上的像素電極層;
其中,所述第二電極走線與所述第一電極走線的中點連接,以及所述第二電極走線在所述像素電極層上的正投影位于所述像素電極層內。
在本申請的陣列基板中,所述公共電極層還包括沿所述第一方向延伸的第三電極走線,所述第三電極走線在所述像素電極層內的正投影位于所述像素電極層內;
其中,所述第三電極走線與所述第二電極走線交叉設置,以及所述第三電極走線的中點與所述第二電極走線的中點重合。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





